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西湖大学工学院孔玮团队提出β-Ga₂O₃ (100)面的单晶同质外延方法

材料人 2025-03-11 16:40

文章摘要

西湖大学工学院孔玮团队开发了一种新方法，首次在无斜切的β-Ga2O3 (100)面上实现了单晶同质外延。该方法通过引入过量铟(In)作为表面活性剂，并在高Ga/O比的生长条件下，有效促进了不稳定孪晶的分解，显著提高了Ga原子的表面扩散长度，从而实现了单晶外延生长。这一突破克服了传统外延中常见的孪晶缺陷问题，为基于β-Ga2O3 (100)面外延片开发高性能器件提供了新的途径。研究还建立了In参与的β-Ga2O3 (100)面同质外延生长的相图，为优化外延工艺提供了理论依据。

西湖大学工学院孔玮团队提出β-Ga₂O₃ (100)面的单晶同质外延方法

查看文献： Mg-doped α-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> Nanorods for the Construction of Photoelectrochemical-Type Self-Powered Solar Blind UV Photodetectors and Underwater Imaging Application.
查看期刊：Advanced Science

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