单一手性密排碳纳米管阵列制备取得突破 | 进展

本文报道了中国科学院物理研究所等团队在单一手性密排碳纳米管阵列制备方面的重大突破。研究团队开发了一种滑移自组装生长技术，成功在六方氮化硼基底上实现了单一手性碳纳米管阵列的直接生长，形成了碳纳米管范德华晶体。这种技术解决了碳纳米管在集成电路应用中的主要障碍，即手性结构随机和排列混乱的问题。实验结果显示，基于这种碳纳米管阵列制造的场效应晶体管具有优异的电学性能，其载流子迁移率和电流承载能力均优于现有硅基电路，展示了碳纳米管在未来高性能电子芯片中的巨大潜力。