单一手性密排碳纳米管阵列制备取得突破

本文介绍了中国科学院物理研究所等团队在单一手性密排碳纳米管阵列制备方面取得的突破性进展。背景方面，碳纳米管因其优异的电子迁移率被视为未来电子器件的理想材料，但其手性结构随机、排列混乱等问题一直制约着实际应用。研究目的是解决诺贝尔奖得主Richard E. Smalley教授提出的制备单一手性碳纳米管密排晶体结构的难题。通过开发滑移自组装生长技术，在六方氮化硼基底上实现了单一手性密排碳纳米管阵列的直接生长，形成了碳纳米管范德华晶体。实验结果显示，基于该阵列制造的场效应晶体管展现出优异的电学性能，各项指标超越以往结果和硅基电路发展路线图的预期，展现了在未来高性能碳基纳米电子芯片中的巨大潜力。