1.1 V 供电下实现 25 ppm/°C 温度稳定性的弛豫振荡器芯片 | MDPI JLPEA

本文介绍了新加坡南洋理工大学Pak Kwong Chan教授团队在Journal of Low Power Electronics and Applications上发表的研究论文，提出了一种新型弛豫振荡器架构。该设计采用40 nm CMOS工艺，通过三重协同补偿机制解决了传统弛豫振荡器温度系数高和电源灵敏度大的问题。研究团队创新性地构建了双晶体管无运放电压基准和n-poly/p-poly复合电阻结构，实现了25 ppm/°C的温度稳定性和0.045%/V的电源灵敏度。该振荡器在1.1 V供电下输出64 kHz方波，动态功耗仅为552 nA，核心面积仅0.0234 mm²，适用于医疗植入设备、环境监测传感器等超低功耗场景。