封面 | 韦亚一研究员团队：助力芯片制造迈向更小制程时代的技术 | 中国光学学会科技创新奖成果

本文介绍了中国科学院微电子研究所韦亚一研究员团队在投影式光刻技术方面的研究成果，特别是光学邻近效应修正（OPC）技术的应用。背景方面，随着集成电路技术节点的演进，光学邻近效应导致的图形畸变问题日益突出，传统的基于规则的修正方法已无法满足需求。研究目的是通过基于模型的光学邻近效应修正技术，结合光刻模型优化和设计-工艺协同优化（DTCO），提高光刻精度和芯片良率。结论指出，基于模型的OPC技术在现代半导体制造中不可或缺，未来研究将围绕提高精度、降低成本和提升效率展开，结合物理模型与机器学习算法，推动光刻技术的发展。