Nature Reviews Methods Primers 极紫外光刻技术

本文探讨了极紫外光刻技术（EUVL）在半导体行业中的应用及其重要性。文章首先介绍了EUVL作为实现半导体器件持续微型化的前沿技术，其较短的波长和更高的精度使其成为关键技术。随后，文章详细阐述了从深紫外到极紫外光刻技术的演变过程，并重点讨论了光源技术、抗蚀材料和光学系统等方面的创新方法。此外，文章还涵盖了图像形成、光刻胶平台和图案转移等关键主题，并探讨了随机效应和光刻胶灵敏度等长期存在的挑战。最后，文章展望了超紫外激光的未来发展方向，包括高数值孔径系统和新型光刻胶平台。