首页 > 期刊列表> Solid-state Electronics

Solid-state Electronics

浏览量3442
分享 分享
微信好友 朋友圈 QQ好友 复制链接
订阅订阅 查看最新文献查看最新文献
SCI期刊
中科院SCI期刊分区 WOS期刊分区 历年影响因子 历年发表 投稿信息 同类期刊
Solid-state Electronics
中文名称:
固态电子
期刊缩写:
Solid-State Electron. copy复制 反馈 反馈
影响因子:
期刊影响因子(Impact factor,IF) 即某刊平均每篇论文的被引用数,是表征期刊影响大小的一项定量指标,它实际上是某刊在某年被全部源刊物引证该刊前两年发表论文的次数,与该刊前两年所发表的全部源论文数之比。
1.4 反馈 反馈
ISSN:
ISSN是由8个数字组成的编码,旨在识别各种报纸、专业杂志、画报、期刊,无论其性质或载体版本(纸版及电子版)。
print: 0038-1101
研究领域:
物理-工程:电子与电气
创刊年份:
1960年
h-index:
h-index是指该期刊有h篇文章至少被引用h次,是一项简单易懂的评估指标,不像平均值会受极端值影响,可呈现出多数文章的被引用表现。Google使用过去5年的h-index数据评价期刊的影响力,“h5指数”比较难以被人为操控,不会因为多了一篇超高被引论文而明显增长,另一方面,刻意减少发文量也不会对提升h5指数有作用。
87
自引率:
5.90%
Gold OA文章占比:
Gold OA文章占比是指一个总体中金色OA文章数量占总体文章数量的比重。OA期刊的文章主要通过金色通道(Gold road,也称为Gold OA,即期刊官网)和绿色通道(Green road,或Green OA)实现开放获取。金色通道是开放获取期刊通过自己的官网来实现的,而绿色通道是通过把文章自存档于机构知识库(Institutional Repositories,比如哈佛大学学术库DASH)或学科知识库中来实现。
18.40%
原创研究文献占比:
99.61%
SCI收录类型:
Science Citation Index Expanded (SCIE) || Scopus (CiteScore)
期刊官网:
期刊介绍英文:
It is the aim of this journal to bring together in one publication outstanding papers reporting new and original work in the following areas: (1) applications of solid-state physics and technology to electronics and optoelectronics, including theory and device design; (2) optical, electrical, morphological characterization techniques and parameter extraction of devices; (3) fabrication of semiconductor devices, and also device-related materials growth, measurement and evaluation; (4) the physics and modeling of submicron and nanoscale microelectronic and optoelectronic devices, including processing, measurement, and performance evaluation; (5) applications of numerical methods to the modeling and simulation of solid-state devices and processes; and (6) nanoscale electronic and optoelectronic devices, photovoltaics, sensors, and MEMS based on semiconductor and alternative electronic materials; (7) synthesis and electrooptical properties of materials for novel devices.
CiteScore:
引用分数(英语:CiteScore,CS)是一种用来反映学术期刊最近发表文章“年平均被引用次数”的衡量指标。该指标由Elsevier于 2016 年 12 月推出,以替代常用的JCR影响因子(由Clarivate计算)。 CiteScore是Scopus中系列期刊指标的一部分,包括 SNIP(源文档标准化影响),SJR (SClmago杂志排名),引用文档计数以及引用百分比。
CiteScoreSJRSNIPCiteScore排名
3.00.3480.655
学科
排名
百分位
大类:Engineering
小类:Electrical and Electronic Engineering
419 / 797
47%
大类:Physics and Astronomy
小类:Condensed Matter Physics
245 / 434
43%
大类:Materials Science
小类:Materials Chemistry
182 / 317
42%
大类:Materials Science
小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials
169 / 284
40%

发文信息

中科院SCI期刊分区

中科院分区升级版是在基础版的基础上,消除了对预置学科体系的依赖,例如期刊-学科隶属关系。基于概率统计原理的期刊超越指数,使分区结果更加鲁棒,不易操纵,揭示出更多优秀的基础研究期刊。 2019-2021年,3年过渡期,会同时发布基础版和升级版,便于用户单位过渡、调整。2022年开始,将只发布升级版。
大类 小类 TOP期刊 综述期刊
4区 物理与天体物理
4区 工程:电子与电气 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
4区 物理:应用 PHYSICS, APPLIED
4区 物理:凝聚态物理 PHYSICS, CONDENSED MATTER

WOS期刊分区

WoS-JCR分区:SCIE、SSCI收录期刊主要按影响因子高低被分为四个区(Quartile),分别是Q1区,Q2区,Q3区,Q4区,各占25%。Q1区是影响因子最靠前25%的期刊,Q4区是靠后的25%的期刊。
学科分类
Q3ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Q4PHYSICS, APPLIED
Q4PHYSICS, CONDENSED MATTER

历年影响因子

2015年2016年2017年2018年2019年2020年2021年2022年2023年
1.34501.58001.66601.49201.43701.90101.91601.70001.4000

历年发表

年文章数是指每年6月SCI发布的IF数据中所提供的上一年全年发文数量。如2018年7月-2019年6月,显示的是2017年的发文数.对极少数热门期刊,我们会在1月份更新为最新一年的发文数。
2012年2013年2014年2015年2016年2017年2018年2019年2020年2021年2022年
261314200271245225175182179206212

投稿信息

出版周期:
Monthly
出版语言:
English
出版国家(地区):
UNITED STATES
接受率:
100%
审稿时长:
3 months
投稿网址:
出版商:
Elsevier Ltd
编辑部地址:
PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD, THE BOULEVARD, LANGFORD LANE, KIDLINGTON, OXFORD, ENGLAND, OX5 1GB
PubMed链接:

同类期刊

Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-beam Interactions With Materials and Atoms
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-beam Interactions With Materials and Atoms
Physica C-superconductivity and Its Applications
Physica C-superconductivity and Its Applications
Journal of Nonlinear Mathematical Physics
Journal of Nonlinear Mathematical Physics
International Journal of Modern Physics a
International Journal of Modern Physics a
Ferroelectrics Letters Section
Ferroelectrics Letters Section
Comptes Rendus Physique
Comptes Rendus Physique

Solid-state Electronics - 最新文献

查看全部

Temperature influence on experimental analog behavior of MISHEMTs

Pub Date : 2024-11-13 DOI: 10.1016/j.sse.2024.109028 Welder F. Perina , Joao A. Martino , Eddy Simoen , Uthayasankaran Peralagu , Nadine Collaert , Paula G.D. Agopian

A novel method used to prepare PN junction by plasmon generated under pulsed laser irradiation on silicon chip

Pub Date : 2024-11-08 DOI: 10.1016/j.sse.2024.109023 Wei-Qi Huang , Yin-Lian Li , Zhong-Mei Huang , Hao-Ze Wang , Shi-Rong Liu

Influence of Ag-Bi2S3 nanocomposites for highly sensitive and selective Cl2 gas sensors: Synthesis, characterization, and gas sensing performance

Pub Date : 2024-11-02 DOI: 10.1016/j.sse.2024.109024 Gangadhar Bandewad , Chetan Kamble , Sunil Pawar
免责声明:
本页显示期刊或杂志信息,仅供参考学习,不是任何期刊杂志官网,不涉及出版事务,特此申明。如需出版一切事务需要用户自己向出版商联系核实。若本页展示内容有任何问题,请联系我们,邮箱:info@booksci.cn,我们会认真核实处理。
微信
客服QQ
Book学术公众号 扫码关注我们
反馈
×
意见反馈
请填写您的意见或建议
请填写您的手机或邮箱
已复制链接
已复制链接
快去分享给好友吧!
我知道了
×
扫码分享
扫码分享
Book学术官方微信
Book学术文献互助
Book学术文献互助群
群 号:481959085
Book学术
文献互助 智能选刊 最新文献 互助须知 联系我们:info@booksci.cn
Book学术提供免费学术资源搜索服务,方便国内外学者检索中英文文献。致力于提供最便捷和优质的服务体验。
Copyright © 2023 Book学术 All rights reserved.
ghs 京公网安备 11010802042870号 京ICP备2023020795号-1