Microelectronics Reliability

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中科院SCI期刊分区 WOS期刊分区历年影响因子历年发表投稿信息同类期刊

中文名称：

微电子可靠性

期刊缩写：

Microelectron. Reliab. copy

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影响因子：

期刊影响因子(Impact factor，IF) 即某刊平均每篇论文的被引用数，是表征期刊影响大小的一项定量指标，它实际上是某刊在某年被全部源刊物引证该刊前两年发表论文的次数，与该刊前两年所发表的全部源论文数之比。

1.6

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ISSN：

ISSN是由8个数字组成的编码，旨在识别各种报纸、专业杂志、画报、期刊，无论其性质或载体版本（纸版及电子版）。

print: 0026-2714

研究领域：

工程技术-工程：电子与电气

创刊年份：

1964年

h-index：

h-index是指该期刊有h篇文章至少被引用h次，是一项简单易懂的评估指标，不像平均值会受极端值影响，可呈现出多数文章的被引用表现。Google使用过去5年的h-index数据评价期刊的影响力，“h5指数”比较难以被人为操控，不会因为多了一篇超高被引论文而明显增长，另一方面，刻意减少发文量也不会对提升h5指数有作用。

自引率：

12.50%

Gold OA文章占比：

Gold OA文章占比是指一个总体中金色OA文章数量占总体文章数量的比重。OA期刊的文章主要通过金色通道（Gold road，也称为Gold OA，即期刊官网）和绿色通道（Green road，或Green OA）实现开放获取。金色通道是开放获取期刊通过自己的官网来实现的，而绿色通道是通过把文章自存档于机构知识库(Institutional Repositories，比如哈佛大学学术库DASH）或学科知识库中来实现。

14.36%

原创研究文献占比：

98.78%

SCI收录类型：

Science Citation Index Expanded (SCIE) || Scopus (CiteScore)

期刊官网：

http://www.journals.elsevier.com/microelectronics-reliability/

期刊介绍英文：

Microelectronics Reliability, is dedicated to disseminating the latest research results and related information on the reliability of microelectronic devices, circuits and systems, from materials, process and manufacturing, to design, testing and operation. The coverage of the journal includes the following topics: measurement, understanding and analysis; evaluation and prediction; modelling and simulation; methodologies and mitigation. Papers which combine reliability with other important areas of microelectronics engineering, such as design, fabrication, integration, testing, and field operation will also be welcome, and practical papers reporting case studies in the field and specific application domains are particularly encouraged. Most accepted papers will be published as Research Papers, describing significant advances and completed work. Papers reviewing important developing topics of general interest may be accepted for publication as Review Papers. Urgent communications of a more preliminary nature and short reports on completed practical work of current interest may be considered for publication as Research Notes. All contributions are subject to peer review by leading experts in the field.

CiteScore：

引用分数（英语：CiteScore，CS）是一种用来反映学术期刊最近发表文章“年平均被引用次数”的衡量指标。该指标由Elsevier于 2016 年 12 月推出，以替代常用的JCR影响因子（由Clarivate计算）。 CiteScore是Scopus中系列期刊指标的一部分，包括 SNIP(源文档标准化影响)，SJR (SClmago杂志排名)，引用文档计数以及引用百分比。

CiteScore	SJR	SNIP	CiteScore排名
3.3	0.394	0.801	学科排名百分位大类：Engineering 小类：Safety, Risk, Reliability and Quality 83 / 207 60% 大类：Engineering 小类：Electrical and Electronic Engineering 395 / 797 50% 大类：Physics and Astronomy 小类：Atomic and Molecular Physics, and Optics 118 / 224 47% 大类：Physics and Astronomy 小类：Condensed Matter Physics 230 / 434 47% 大类：Materials Science 小类：Surfaces, Coatings and Films 74 / 132 44% 大类：Materials Science 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials 161 / 284 43%

发文信息

中科院SCI期刊分区

中科院分区升级版是在基础版的基础上，消除了对预置学科体系的依赖，例如期刊-学科隶属关系。基于概率统计原理的期刊超越指数，使分区结果更加鲁棒，不易操纵，揭示出更多优秀的基础研究期刊。 2019-2021年，3年过渡期，会同时发布基础版和升级版，便于用户单位过渡、调整。2022年开始，将只发布升级版。

大类	小类	TOP期刊	综述期刊
4区工程技术	4区工程：电子与电气 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 4区纳米科技 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 4区物理：应用 PHYSICS, APPLIED	否	否

WOS期刊分区

WoS-JCR分区：SCIE、SSCI收录期刊主要按影响因子高低被分为四个区（Quartile），分别是Q1区，Q2区，Q3区，Q4区，各占25%。Q1区是影响因子最靠前25%的期刊，Q4区是靠后的25%的期刊。

学科分类
Q3ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC Q4NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY Q3PHYSICS, APPLIED

历年影响因子

2015年	2016年	2017年	2018年	2019年	2020年	2021年	2022年	2023年
1.2020	1.3710	1.2360	1.4830	1.5350	1.5890	1.4180	1.6000	1.6000

历年发表

年文章数是指每年6月SCI发布的IF数据中所提供的上一年全年发文数量。如2018年7月-2019年6月，显示的是2017年的发文数.对极少数热门期刊，我们会在1月份更新为最新一年的发文数。

2012年	2013年	2014年	2015年	2016年	2017年	2018年	2019年	2020年	2021年	2022年
483	334	440	437	716	470	551	337	370	358	342

投稿信息

出版周期：

Monthly

出版语言：

English

出版国家(地区)：

ENGLAND

接受率：

100%

审稿时长：

68 days

投稿网址：

https://www.editorialmanager.com/MICREL

出版商：

Elsevier Ltd

编辑部地址：

PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD, THE BOULEVARD, LANGFORD LANE, KIDLINGTON, OXFORD, ENGLAND, OX5 1GB

PubMed链接：

http://www.ncbi.nlm.nih.gov/nlmcatalog?term=0026-2714%5BISSN%5D

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