Journal of Materials Science: Materials in Electronics

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Journal of Materials Science: Materials in Electronics

期刊缩写：

J MATER SCI-MATER EL copy

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影响因子：

期刊影响因子(Impact factor，IF) 即某刊平均每篇论文的被引用数，是表征期刊影响大小的一项定量指标，它实际上是某刊在某年被全部源刊物引证该刊前两年发表论文的次数，与该刊前两年所发表的全部源论文数之比。

2.8

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ISSN：

ISSN是由8个数字组成的编码，旨在识别各种报纸、专业杂志、画报、期刊，无论其性质或载体版本（纸版及电子版）。

print: 0957-4522
on-line: 1573-482X

研究领域：

工程技术-材料科学：综合

创刊年份：

1990年

h-index：

h-index是指该期刊有h篇文章至少被引用h次，是一项简单易懂的评估指标，不像平均值会受极端值影响，可呈现出多数文章的被引用表现。Google使用过去5年的h-index数据评价期刊的影响力，“h5指数”比较难以被人为操控，不会因为多了一篇超高被引论文而明显增长，另一方面，刻意减少发文量也不会对提升h5指数有作用。

自引率：

7.10%

Gold OA文章占比：

Gold OA文章占比是指一个总体中金色OA文章数量占总体文章数量的比重。OA期刊的文章主要通过金色通道（Gold road，也称为Gold OA，即期刊官网）和绿色通道（Green road，或Green OA）实现开放获取。金色通道是开放获取期刊通过自己的官网来实现的，而绿色通道是通过把文章自存档于机构知识库(Institutional Repositories，比如哈佛大学学术库DASH）或学科知识库中来实现。

2.18%

原创研究文献占比：

99.16%

SCI收录类型：

Science Citation Index Expanded (SCIE) || Scopus (CiteScore)

期刊官网：

https://www.springer.com/10854

期刊介绍英文：

The Journal of Materials Science: Materials in Electronics is an established refereed companion to the Journal of Materials Science. It publishes papers on materials and their applications in modern electronics, covering the ground between fundamental science, such as semiconductor physics, and work concerned specifically with applications. It explores the growth and preparation of new materials, as well as their processing, fabrication, bonding and encapsulation, together with the reliability, failure analysis, quality assurance and characterization related to the whole range of applications in electronics. The Journal presents papers in newly developing fields such as low dimensional structures and devices, optoelectronics including III-V compounds, glasses and linear/non-linear crystal materials and lasers, high Tc superconductors, conducting polymers, thick film materials and new contact technologies, as well as the established electronics device and circuit materials.

期刊介绍中文：

《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》是《材料科学杂志》的既定参考姊妹刊。它是一本专注于材料科学与电子器件领域的学术期刊,旨在报道材料在电子器件中的应用、性能和制备等方面的最新研究成果和进展。它发表有关材料及其在现代电子学中的应用的论文，涵盖基础科学（例如半导体物理学）和专门与应用相关的工作之间的基础。它探讨了新材料的生长和制备，及其加工、制造、粘合和封装，以及与电子领域整个应用范围相关的可靠性、故障分析、质量保证和表征。该杂志发表了新兴领域的论文，例如低维结构和器件、光电子学（包括 III-V 化合物）、玻璃和线性/非线性晶体材料和激光器、高温超导体、导电聚合物、厚膜材料和新型接触技术，以及已建立的电子器件和电路材料。

CiteScore：

引用分数（英语：CiteScore，CS）是一种用来反映学术期刊最近发表文章“年平均被引用次数”的衡量指标。该指标由Elsevier于 2016 年 12 月推出，以替代常用的JCR影响因子（由Clarivate计算）。 CiteScore是Scopus中系列期刊指标的一部分，包括 SNIP(源文档标准化影响)，SJR (SClmago杂志排名)，引用文档计数以及引用百分比。

CiteScore	SJR	SNIP	CiteScore排名
5.0	0.512	0.696	学科排名百分位大类：Physics and Astronomy 小类：Condensed Matter Physics 140 / 434 67% 大类：Engineering 小类：Electrical and Electronic Engineering 262 / 797 67% 大类：Materials Science 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials 96 / 284 66% 大类：Physics and Astronomy 小类：Atomic and Molecular Physics, and Optics 76 / 224 66%

发文信息

中科院SCI期刊分区

中科院分区升级版是在基础版的基础上，消除了对预置学科体系的依赖，例如期刊-学科隶属关系。基于概率统计原理的期刊超越指数，使分区结果更加鲁棒，不易操纵，揭示出更多优秀的基础研究期刊。 2019-2021年，3年过渡期，会同时发布基础版和升级版，便于用户单位过渡、调整。2022年开始，将只发布升级版。

大类	小类	TOP期刊	综述期刊
4区工程技术	4区工程：电子与电气 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 4区材料科学：综合 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 4区物理：应用 PHYSICS, APPLIED 4区物理：凝聚态物理 PHYSICS, CONDENSED MATTER	否	否

WOS期刊分区

WoS-JCR分区：SCIE、SSCI收录期刊主要按影响因子高低被分为四个区（Quartile），分别是Q1区，Q2区，Q3区，Q4区，各占25%。Q1区是影响因子最靠前25%的期刊，Q4区是靠后的25%的期刊。

学科分类
Q2ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC Q3MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY Q2PHYSICS, APPLIED Q2PHYSICS, CONDENSED MATTER

历年影响因子

2015年	2016年	2017年	2018年	2019年	2020年	2021年	2022年	2023年
1.7980	2.0190	2.3240	2.1950	2.2200	2.4780	2.7790	2.8000	2.8000

历年发表

年文章数是指每年6月SCI发布的IF数据中所提供的上一年全年发文数量。如2018年7月-2019年6月，显示的是2017年的发文数.对极少数热门期刊，我们会在1月份更新为最新一年的发文数。

2012年	2013年	2014年	2015年	2016年	2017年	2018年	2019年	2020年	2021年	2022年
433	643	929	1592	2251	2239	2076	2190	2119	2665	1931

投稿信息

出版周期：

Monthly

出版语言：

English

出版国家(地区)：

NETHERLANDS

接受率：

96%

初审时长：

7 days

审稿时长：

2 months

投稿网址：

https://www.editorialmanager.com/jmse

出版商：

Springer US

编辑部地址：

SPRINGER, VAN GODEWIJCKSTRAAT 30, DORDRECHT, NETHERLANDS, 3311 GZ

PubMed链接：

http://www.ncbi.nlm.nih.gov/nlmcatalog?term=0957-4522%5BISSN%5D

Journal of Materials Science: Materials in Electronics - 最新文献

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Investigation of structure, morphology, dielectric, and optoelectronic properties of La-doped BaZrO3: experimental and DFT analysis

Pub Date : 2024-11-20 DOI: 10.1007/s10854-024-13878-6 Ahmad Ayyaz, G. Murtaza, Huda Alkhaldi, Haya Alhummiany, Akhlaq Ahmed, Hisham S. M. Abd-Rabboh, Q. Mahmood, M. S. Al-Buriahi, H. Elhosiny Ali

Growth and characterization of semi-organic third-order nonlinear optical (NLO) succinic acid magnesium sulphate single crystals

Pub Date : 2024-11-20 DOI: 10.1007/s10854-024-13889-3 S. Swathi, B. Samuel Ebinezer, M. Shalini, M. Meena, R. S. Sundararajan, T. C. Sabari Girisun

Enhanced electrochemical and transport properties of proton-conducting electrolytes through Y and Gd co-doping in BaCe0.6Zr0.2Y0.2-xGdxO3-δ

Pub Date : 2024-11-20 DOI: 10.1007/s10854-024-13836-2 Lixin Yang, Ying Li, Gaopeng Zhou, Xi Wang

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