Электрофизические и оптические свойства органических светодиодных структур с эмиссионным слоем ЯК-203

{"title":"Электрофизические и оптические свойства органических светодиодных структур\nс эмиссионным слоем ЯК-203","authors":"","doi":"10.34077/rcsp2019-164","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Исследования свойств новых типов многослойных систем необходимы для разработок\nорганических светоизлучающих диодов (ОСИД), которые востребованы для создания дисплеев,\nсистем освещения большой площади, транзисторов и фотоэлектрических устройств [1]. Одной из\nперспективных является ОСИД структура ITO/PEDOT:PSS/-NPD/ЯK-203/BCP/LiF/Al. Эмиссионный\nслой создавался из вещества ЯК-203 (2-N,2-N,8-N-тетракис(4-метоксифенил)-(дибензотиофен-5,5-\nдиоксид)-2,8-диамин), в котором наблюдается эффект термоактивированной люминесценции, что\nприводит к замедлению электролюминесценции при скоростях интерконверсии, близких к скорости\nизлучательных процессов. В данной работе свойства ОСИД структуры со слоем ЯК-203 исследованы\nпри помощи методов адмиттанса и переходной электролюминесценции.\nПоказано, что при напряжениях, соответствующих эффективной излучательной рекомбинации\nносителей заряда, наблюдается значительное уменьшение дифференциальной емкости структур.\nЧастотные зависимости приведенной проводимости\nсветодиодных структур хорошо согласуются с\nрезультатами численного моделирования в рамках\nметода эквивалентных схем. Изменения частотных\nзависимостей адмиттанса при изменении\nтемпературы наиболее выражены в диапазоне 200–\n300 К и менее заметны в области температур 8–\n200 К. Для определения подвижности носителей\nзаряда предложено использовать методику,\nоснованную на измерении частотных зависимостей\nмнимой части импеданса структур [2,3]. Изучены\nзависимости подвижности носителей заряда от\nнапряжения смещения и температуры (рисунок).\nНайденные значения подвижности несколько\nменьше значений, определенных методом\nпереходной электролюминесценции.","PeriodicalId":118786,"journal":{"name":"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»","volume":"14 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2019-05-24","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2019-164","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0

Abstract

Исследования свойств новых типов многослойных систем необходимы для разработок органических светоизлучающих диодов (ОСИД), которые востребованы для создания дисплеев, систем освещения большой площади, транзисторов и фотоэлектрических устройств [1]. Одной из перспективных является ОСИД структура ITO/PEDOT:PSS/-NPD/ЯK-203/BCP/LiF/Al. Эмиссионный слой создавался из вещества ЯК-203 (2-N,2-N,8-N-тетракис(4-метоксифенил)-(дибензотиофен-5,5- диоксид)-2,8-диамин), в котором наблюдается эффект термоактивированной люминесценции, что приводит к замедлению электролюминесценции при скоростях интерконверсии, близких к скорости излучательных процессов. В данной работе свойства ОСИД структуры со слоем ЯК-203 исследованы при помощи методов адмиттанса и переходной электролюминесценции. Показано, что при напряжениях, соответствующих эффективной излучательной рекомбинации носителей заряда, наблюдается значительное уменьшение дифференциальной емкости структур. Частотные зависимости приведенной проводимости светодиодных структур хорошо согласуются с результатами численного моделирования в рамках метода эквивалентных схем. Изменения частотных зависимостей адмиттанса при изменении температуры наиболее выражены в диапазоне 200– 300 К и менее заметны в области температур 8– 200 К. Для определения подвижности носителей заряда предложено использовать методику, основанную на измерении частотных зависимостей мнимой части импеданса структур [2,3]. Изучены зависимости подвижности носителей заряда от напряжения смещения и температуры (рисунок). Найденные значения подвижности несколько меньше значений, определенных методом переходной электролюминесценции.
查看原文
分享 分享
微信好友 朋友圈 QQ好友 复制链接
本刊更多论文
有机led结构的电子和光学性能,发射层为牦牛203
需要研究新的多层系统的特性,以开发用于创建显示器、广域照明系统、晶体管和光电设备的多层系统(1)。一个изперспективнОСИДITO /盐)结构:NPD / PSS /ЯK - 203 / BCP LiF / Al。发射层由ak -203 (2-N,2-N - 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4-二聚氰胺)- 2.8 -二聚氰胺(2- 5-二聚氰胺)- 2.8 -二聚氰胺组成。在这项工作中,osid结构的特性与牦牛-203层通过管理员方法和过渡电发光进行研究。显示,在与有效辐射复合电荷相对应的应力下,结构的微分电容明显减少。电导线led结构的频率依赖是由数值建模的结果与等效电路的框架方法一致的。温度变化的频率变化在200 - 300 k的范围内最为明显,在8 - 200 k的温度范围内最为明显,建议采用一种方法来测量阻抗的频率依赖性(2.3)。研究电荷载流子的运动强度和温度(图)。我们发现的活动值比过渡电发光方法定义的值小一些。
本文章由计算机程序翻译,如有差异,请以英文原文为准。
求助全文
约1分钟内获得全文 去求助
来源期刊
自引率
0.00%
发文量
0
期刊最新文献
Быстродействующие вертикально-излучающие лазеры диапазона 1550 нм Влияние приповерхностного изгиба зон на фотоэмиссионные характеристики p-GaN(Cs,O) фотокатодов Влияние ступенчатого профиля состава на формирование инверсии в пленках материала кадмий-ртуть-теллур Электрофизические и оптические свойства органических светодиодных структур с эмиссионным слоем ЯК-203 Функциональные оптические элементы и устройства терагерцовой фотоники на основе метаповерхностей
×
引用
GB/T 7714-2015
复制
MLA
复制
APA
复制
导出至
BibTeX EndNote RefMan NoteFirst NoteExpress
×
×
提示
您的信息不完整,为了账户安全,请先补充。
现在去补充
×
提示
您因"违规操作"
具体请查看互助需知
我知道了
×
提示
现在去查看 取消
×
提示
确定
0
微信
客服QQ
Book学术公众号 扫码关注我们
反馈
×
意见反馈
请填写您的意见或建议
请填写您的手机或邮箱
已复制链接
已复制链接
快去分享给好友吧!
我知道了
×
扫码分享
扫码分享
Book学术官方微信
Book学术文献互助
Book学术文献互助群
群 号:481959085
Book学术
文献互助 智能选刊 最新文献 互助须知 联系我们:info@booksci.cn
Book学术提供免费学术资源搜索服务,方便国内外学者检索中英文文献。致力于提供最便捷和优质的服务体验。
Copyright © 2023 Book学术 All rights reserved.
ghs 京公网安备 11010802042870号 京ICP备2023020795号-1