Туннельный точечный контакт в терагерцовом поле

Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019» Pub Date : 2019-05-24 DOI:10.34077/rcsp2019-134

{"title":"Туннельный точечный контакт в терагерцовом поле","authors":"","doi":"10.34077/rcsp2019-134","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Изготовлены квантовые точечные контакты (QPC) в двумерном электронном газе гетероструктур\nGaAs/AlGaAs и выполнены измерения отклика туннельного кондактанса устройств на терагерцовое\nоблучение [1] (рис.1,2). Поляризационные измерения (рис.2) показывают, что отклик зависит только\nот компоненты внешнего ВЧ поля E(ω), которая направлена вдоль тока в узком месте. Это позволяет\nсвести объяснение к численному решению одномерной задачи о фотон-ассистированном\nпрохождении через барьер U(x,t)≈ [V+Aсos(ωt)]/ch2\n(x/W). Для такого барьера давно предсказаны два\nэффекта. Первый из них – гигантский рост коэффициента прохождения D частицы с начальной\nэнергией E<V при низких и умеренных частотах [2-4] (вплоть до 0.7 ТГц для туннельного контакта с\nW≈100 нм в двумерном электронном газе GaAs/AlGaAs структур [4]). Второй эффект – это выход при\nвысоких частотах на значение D0(E), отвечающее статическому барьеру [2,3]. В работе [1] впервые\nнаблюдались оба эффекта, а результаты моделирования мультифотонного прохождения электрона\nчерез туннельный барьер в изготовленных структурах хорошо соответствуют измерениям на частотах\nf от 0.14 до 1.63 ТГц.","PeriodicalId":118786,"journal":{"name":"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»","volume":"4 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2019-05-24","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2019-134","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Abstract

Изготовлены квантовые точечные контакты (QPC) в двумерном электронном газе гетероструктур GaAs/AlGaAs и выполнены измерения отклика туннельного кондактанса устройств на терагерцовое облучение [1] (рис.1,2). Поляризационные измерения (рис.2) показывают, что отклик зависит только от компоненты внешнего ВЧ поля E(ω), которая направлена вдоль тока в узком месте. Это позволяет свести объяснение к численному решению одномерной задачи о фотон-ассистированном прохождении через барьер U(x,t)≈ [V+Aсos(ωt)]/ch2 (x/W). Для такого барьера давно предсказаны два эффекта. Первый из них – гигантский рост коэффициента прохождения D частицы с начальной энергией E

查看原文

微信好友朋友圈 QQ好友复制链接

本刊更多论文

特拉公爵场隧道点接触

量子点接触(QPC)是在异质质气体/AlGaAs电子气体中制造的，测量了设备对teragal辐射的反应(1)。偏振测量(里斯2)表明，响应只取决于外部磁场E()字段()的组成部分，该字段沿着电流流向狭小的地方。这将解释简化为一个数值解，即通过U(x,t) eos (V+ aos) /ch2(x/W)。长期以来，人们一直预测这种障碍会产生双重影响。第一个是D粒子以低而适度的频率E

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文去求助

来源期刊

Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»

自引率

0.00%

发文量