О различии значений пороговых характеристик многоэлементных фотодиодных ФПУ, определенных в экспериментах с однородной модулированной засветкой фотоприемника и в экспериментах с малым (“пиксельным”) пятном засветки

{"title":"О различии значений пороговых характеристик многоэлементных фотодиодных ФПУ,\nопределенных в экспериментах с однородной модулированной засветкой\nфотоприемника и в экспериментах с малым (“пиксельным”) пятном засветки","authors":"","doi":"10.34077/rcsp2019-151","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"В работе [1] сообщалось о различии величин минимального детектируемого (порогового)\nсветового потока Iпор, определенных с использованием двух методик измерения, а именно: в\nэкспериментах с модулированной однородной засветкой фотоприемника и в экспериментах,\nиспользующих локальное пятно засветки с размерами, близкими к размеру его фоточувствительного\nэлемента (ФЧЭ). Утверждалось, что найденная во втором случае величина Iпор превышает таковую\nпри однородной засветке, причем в случае линейчатых ФПУ (ЛФПУ) с временной задержкой\nнакопления (ВЗН) указанное различие может достигать трех раз.\nВ настоящей работе была предпринята попытка количественного анализа эффекта для матричных\nФПУ (МФПУ) в предположении, что этот эффект мог бы быть объяснен диффузией\nфотогенерированных носителей заряда (НЗ) из локально освещенного ФЧЭ ФПУ в соседние\nфотоэлементы. Для этого методом Монте-Карло проводилось\nмоделирование диффузии ФНЗ из центрированных на ФЧЭ\nразмером 30x30 мкм круглого, квадратного и гауссова пятен\nзасветки в соседние ФЧЭ при актуальных величинах\nпараметров задачи (геометрические размеры матрицы\nМФПУ, длины диффузии ФНЗ и длины поглощения\nизлучения в фоточувствительной пленке фотоприёмника).\nАнализировалась зависимость от размера пятна Δspot\nколичества частиц, стекших на фотодиод рассматриваемого\nФЧЭ при его нормировке на число частиц, рожденных в\nпятне засветки либо на полное количество частиц, рожденных\nв слое абсорбера (см. рисунок).\nАнализ результатов проведенных Монте-Карло расчетов\nпозволил сделать следующие выводы:\n1) При принятых значениях параметров задачи диффузия\nФНЗ за пределы освещенного ФЧЭ может увеличить\nвеличину порогового детектируемого потока при освещении\nМФПУ пятном до 30-40% по сравнению со случаем\nравномерной засветки фотоприемника.\n2) Нормированная на мощность излучения в пучке\nвеличина фотосигнала засвеченного ФЧЭ быстро спадает с\nувеличением размера пятна засветки в диапазоне 10-40 мкм;\nэто связано с уменьшением доли пучка света в центральном\nпикселе. При этом для гауссова пятна с размером 30 мкм\nнайденный пороговый поток оказывается увеличенным\nпримерно в 3 раза по сравнению со случаем равномерной\nзасветки матрицы. Этот результат показывает, что\nкритически важным фактором для методики определения пороговых характеристик МФПУ с\nприменением “пиксельной” засветки является точность покрытия пятном ФЧЭ матрицы; этот же\nфактор играет важную роль как определяющий различие величин пороговых потоков и для ВЗНЛФПУ.\n3) В целом проведенное рассмотрение дает общий пример анализа (распространенный в работе\nтакже и на случай ВЗН-ЛФПУ), позволяющего для конкретных значений параметров задачи\nпосредством моделирования методом Монте-Карло предсказать величины пороговых характеристик\nмногоэлементных ФПУ, определенных с использованием локальной (“пиксельной”) засветкой\nфотоприёмника и его однородной засветкой.","PeriodicalId":118786,"journal":{"name":"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»","volume":"42 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2019-05-24","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2019-151","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0

Abstract

В работе [1] сообщалось о различии величин минимального детектируемого (порогового) светового потока Iпор, определенных с использованием двух методик измерения, а именно: в экспериментах с модулированной однородной засветкой фотоприемника и в экспериментах, использующих локальное пятно засветки с размерами, близкими к размеру его фоточувствительного элемента (ФЧЭ). Утверждалось, что найденная во втором случае величина Iпор превышает таковую при однородной засветке, причем в случае линейчатых ФПУ (ЛФПУ) с временной задержкой накопления (ВЗН) указанное различие может достигать трех раз. В настоящей работе была предпринята попытка количественного анализа эффекта для матричных ФПУ (МФПУ) в предположении, что этот эффект мог бы быть объяснен диффузией фотогенерированных носителей заряда (НЗ) из локально освещенного ФЧЭ ФПУ в соседние фотоэлементы. Для этого методом Монте-Карло проводилось моделирование диффузии ФНЗ из центрированных на ФЧЭ размером 30x30 мкм круглого, квадратного и гауссова пятен засветки в соседние ФЧЭ при актуальных величинах параметров задачи (геометрические размеры матрицы МФПУ, длины диффузии ФНЗ и длины поглощения излучения в фоточувствительной пленке фотоприёмника). Анализировалась зависимость от размера пятна Δspot количества частиц, стекших на фотодиод рассматриваемого ФЧЭ при его нормировке на число частиц, рожденных в пятне засветки либо на полное количество частиц, рожденных в слое абсорбера (см. рисунок). Анализ результатов проведенных Монте-Карло расчетов позволил сделать следующие выводы: 1) При принятых значениях параметров задачи диффузия ФНЗ за пределы освещенного ФЧЭ может увеличить величину порогового детектируемого потока при освещении МФПУ пятном до 30-40% по сравнению со случаем равномерной засветки фотоприемника. 2) Нормированная на мощность излучения в пучке величина фотосигнала засвеченного ФЧЭ быстро спадает с увеличением размера пятна засветки в диапазоне 10-40 мкм; это связано с уменьшением доли пучка света в центральном пикселе. При этом для гауссова пятна с размером 30 мкм найденный пороговый поток оказывается увеличенным примерно в 3 раза по сравнению со случаем равномерной засветки матрицы. Этот результат показывает, что критически важным фактором для методики определения пороговых характеристик МФПУ с применением “пиксельной” засветки является точность покрытия пятном ФЧЭ матрицы; этот же фактор играет важную роль как определяющий различие величин пороговых потоков и для ВЗНЛФПУ. 3) В целом проведенное рассмотрение дает общий пример анализа (распространенный в работе также и на случай ВЗН-ЛФПУ), позволяющего для конкретных значений параметров задачи посредством моделирования методом Монте-Карло предсказать величины пороговых характеристик многоэлементных ФПУ, определенных с использованием локальной (“пиксельной”) засветкой фотоприёмника и его однородной засветкой.
查看原文
分享 分享
微信好友 朋友圈 QQ好友 复制链接
本刊更多论文
多元素光电二极管阈值的区别,在单调制光电接收器和小像素光电实验中确定
工作[1]报告了使用两种测量方法确定的最低探测(阈值)光通量的差异,即:调制单个光电接收器信号的实验,以及使用接近光敏元件大小的局部信号点的实验。有人认为,在第二种情况下发现的ipo量超过了单个信号,在延迟时间(hvn)的线性fpa (lfp)的情况下,可以达到三次不同。本工作试图定量分析基质(mpu)的影响,假设这种影响可以解释从局部光电生成的电荷载体(nz)从局部光电到邻近光电元件的扩散。为了做到这一点,蒙特卡洛采用了一种方法,将以30x30 m为中心的fnz扩散从一个圆的、方形的和高斯五分之一到邻近的ftc,并列目标参数(几何尺寸、fnz扩散长度和光敏接收器薄膜吸收辐射的长度)。经济效益分析依赖斑点大小стекшspotколичеств粒子在光电二极管рассматриваемогоФЧЭнормировк粒子数目为之后他生日впятн敞口要么完全рожденныхв层吸收器粒子的数量(见图)。分析结果进行蒙特卡洛расчетовпозвол得出以下结论:1)参数采用任务диффузияФНЗ照明ФЧЭ以外可以увеличитьвеличин门槛детектируем流освещениимфп斑点到30 - 40%случаемравномерн相比星爆фотоприемника.2)规范化пучкевеличин辐射功率光明фотосигнаФЧЭ迅速下降сувеличен污渍敞口规模范围10 - 40µm;和减少有关中心中心有一束光。然而,对于一个30毫秒大小的高斯点,阈值通量大约是矩阵均匀曝光的三倍。这一结果表明,使用“像素”映射来确定mfp阈值特征的方法的关键因素是微分基质的准确性;这个жефактор扮演重要角色定义阈值的差异为ВЗНЛФПУ.3)和流向进行审议给予普通例子分析(работетакж传播,以防ВЗНЛФПУ),允许为特定值参数阈值характеристикмногоэлементнзадачипосредств蒙特卡罗方法模拟预测变量ФПУ,某些使用局部(像素)засветкойфотоприёмник及其同质的敞口。
本文章由计算机程序翻译,如有差异,请以英文原文为准。
求助全文
约1分钟内获得全文 去求助
来源期刊
自引率
0.00%
发文量
0
期刊最新文献
Быстродействующие вертикально-излучающие лазеры диапазона 1550 нм Влияние приповерхностного изгиба зон на фотоэмиссионные характеристики p-GaN(Cs,O) фотокатодов Влияние ступенчатого профиля состава на формирование инверсии в пленках материала кадмий-ртуть-теллур Электрофизические и оптические свойства органических светодиодных структур с эмиссионным слоем ЯК-203 Функциональные оптические элементы и устройства терагерцовой фотоники на основе метаповерхностей
×
引用
GB/T 7714-2015
复制
MLA
复制
APA
复制
导出至
BibTeX EndNote RefMan NoteFirst NoteExpress
×
×
提示
您的信息不完整,为了账户安全,请先补充。
现在去补充
×
提示
您因"违规操作"
具体请查看互助需知
我知道了
×
提示
现在去查看 取消
×
提示
确定
0
微信
客服QQ
Book学术公众号 扫码关注我们
反馈
×
意见反馈
请填写您的意见或建议
请填写您的手机或邮箱
已复制链接
已复制链接
快去分享给好友吧!
我知道了
×
扫码分享
扫码分享
Book学术官方微信
Book学术文献互助
Book学术文献互助群
群 号:481959085
Book学术
文献互助 智能选刊 最新文献 互助须知 联系我们:info@booksci.cn
Book学术提供免费学术资源搜索服务,方便国内外学者检索中英文文献。致力于提供最便捷和优质的服务体验。
Copyright © 2023 Book学术 All rights reserved.
ghs 京公网安备 11010802042870号 京ICP备2023020795号-1