{"title":"Контейнеры для выращивания кристаллов германия","authors":"","doi":"10.34077/rcsp2019-114","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Современная область применения кристаллов полупроводникового германия, обязательным\nтребованием к которым является низкое содержание дефектов и посторонних примесей, включает\nкосмическую фотовольтаику и электронную технику, полупроводниковые детекторы, инфракрасную\nоптику и тепловизоры.\nВ технологии получения монокристаллов германия важную роль играет материал контейнера для\nрасплава. До недавнего времени в этом качестве преимущественно использовался ультрачистый\nграфит. Вместе с тем при использовании графитовых контейнеров эффективный коэффициент\nраспределения ряда примесей в германии, например, Al, B, Ga, приближается к единице и,\nсоответственно, очистка от них не происходит. Одним из путей решения данной проблемы является\nприменение новых материалов. К их числу относятся нитрид бора и аморфный оксид кремния,\nнапример, в форме плавленого кварца. Из работы [1] следует, что угол смачивания поверхности\nплавленого кварца расплавом германия изменяется в интервале от 150 до 117°. Нитрид бора\nсмачивается значительно меньше, контактный угол составляет 173°. Однако изготовление\nконтейнеров из нитрида бора является сложной технической задачей, что обусловлено его высокой\nтемпературой плавления [2]. В работе [3] нами предложен способ изготовления двухслойных\nкварцевых контейнеров по керамической технологии с использованием метода шликерного литья.\nСуть его состоит в том, что на внутреннюю поверхность керамического кварцевого контейнера,\nизготовленного по шликерной технологии, наносится, также методом шликерного литья, покрытие\nтребуемого состава, которое контактирует при выращивании кристалла с расплавом германия.\nЦель настоящей работы – получение кварцевых контейнеров с покрытием на основе аморфного\nоксида кремния с добавкой нитрида бора для уменьшения смачивания расплавом германия.\nКварцевые керамические контейнеры изготавливали методом шликерного литья в гипсовую\nформу. Для формования применяли водный шликер, содержащий 70 мас. % аморфного SiO2.\nПриготовление шликера осуществлялось по методике одностадийного мокрого помола с\nиспользованием плавленого кварца. С этой целью в шаровую мельницу загружали дробленое\nкварцевое стекло, добавляли воду, исходя из заданной концентрации твердой фазы. Соотношение\nмассы шаров и массы загрузки составляло 3:1. После помола в течение 48 ч получали шликер для\nлитья изделий. После формования изделия избыток шликера сливали и проводили сушку\nполуфабриката при комнатной температуре. Для формирования покрытия на внутреннюю\nповерхность отливки из плавленого кварца до обжига также методом шликерного литья наносили\nпокрытие с комбинированным составом, содержащее SiO2 и BN в количестве 75 и 25 масс. %,\nсоответственно. Введение в состав покрытия большего количества нитрда бора приводило к тому,\nчто внутренний слой получается неоднородным и растрескивается, либо в ходе сушки изделия, либо\nпри отжиге. После формования контейнера проводили сушку и обжиг в атмосфере азота при 1200 °С\nв течение 2 ч.\nУстановлено, что плотность основы контейнера из плавленого кварца и материала покрытия\nсоставляет 1,95 г/см3\n, пористость ~ 11,0 %, размер зерен изменяется от 1 до 100 мкм.","PeriodicalId":118786,"journal":{"name":"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»","volume":"12 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2019-05-24","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2019-114","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0

Abstract

Современная область применения кристаллов полупроводникового германия, обязательным требованием к которым является низкое содержание дефектов и посторонних примесей, включает космическую фотовольтаику и электронную технику, полупроводниковые детекторы, инфракрасную оптику и тепловизоры. В технологии получения монокристаллов германия важную роль играет материал контейнера для расплава. До недавнего времени в этом качестве преимущественно использовался ультрачистый графит. Вместе с тем при использовании графитовых контейнеров эффективный коэффициент распределения ряда примесей в германии, например, Al, B, Ga, приближается к единице и, соответственно, очистка от них не происходит. Одним из путей решения данной проблемы является применение новых материалов. К их числу относятся нитрид бора и аморфный оксид кремния, например, в форме плавленого кварца. Из работы [1] следует, что угол смачивания поверхности плавленого кварца расплавом германия изменяется в интервале от 150 до 117°. Нитрид бора смачивается значительно меньше, контактный угол составляет 173°. Однако изготовление контейнеров из нитрида бора является сложной технической задачей, что обусловлено его высокой температурой плавления [2]. В работе [3] нами предложен способ изготовления двухслойных кварцевых контейнеров по керамической технологии с использованием метода шликерного литья. Суть его состоит в том, что на внутреннюю поверхность керамического кварцевого контейнера, изготовленного по шликерной технологии, наносится, также методом шликерного литья, покрытие требуемого состава, которое контактирует при выращивании кристалла с расплавом германия. Цель настоящей работы – получение кварцевых контейнеров с покрытием на основе аморфного оксида кремния с добавкой нитрида бора для уменьшения смачивания расплавом германия. Кварцевые керамические контейнеры изготавливали методом шликерного литья в гипсовую форму. Для формования применяли водный шликер, содержащий 70 мас. % аморфного SiO2. Приготовление шликера осуществлялось по методике одностадийного мокрого помола с использованием плавленого кварца. С этой целью в шаровую мельницу загружали дробленое кварцевое стекло, добавляли воду, исходя из заданной концентрации твердой фазы. Соотношение массы шаров и массы загрузки составляло 3:1. После помола в течение 48 ч получали шликер для литья изделий. После формования изделия избыток шликера сливали и проводили сушку полуфабриката при комнатной температуре. Для формирования покрытия на внутреннюю поверхность отливки из плавленого кварца до обжига также методом шликерного литья наносили покрытие с комбинированным составом, содержащее SiO2 и BN в количестве 75 и 25 масс. %, соответственно. Введение в состав покрытия большего количества нитрда бора приводило к тому, что внутренний слой получается неоднородным и растрескивается, либо в ходе сушки изделия, либо при отжиге. После формования контейнера проводили сушку и обжиг в атмосфере азота при 1200 °С в течение 2 ч. Установлено, что плотность основы контейнера из плавленого кварца и материала покрытия составляет 1,95 г/см3 , пористость ~ 11,0 %, размер зерен изменяется от 1 до 100 мкм.
查看原文
分享 分享
微信好友 朋友圈 QQ好友 复制链接
本刊更多论文
德国晶体生长容器
现代半导体晶体应用领域,需要低缺陷和外来杂质,包括空间光伏和电子设备,半导体探测器,红外光学和热成像。在单晶技术中,德国对容器材料起着重要作用。直到最近,它还主要使用最纯净的石墨。然而,当使用石墨容器时,例如Al、B、Ga等德国杂质的有效分布系数接近于1,因此无法清除。解决这个问题的一种方法是使用新材料。其中包括硝化硼和无定形二氧化硅,如熔化石英。工作中的[1]下煤炭поверхностиплавлен石英湿润融化德国150至117°变化音程。氮化борасмачива相当少,接触角为173°。然而,由于硝化硼的高温,制造硝化硼容器是一项技术挑战。在工作中,我们提出了一种方法,可以用磨砂法制作两层石英容器,用于陶瓷技术。它的核心是,一个陶瓷石英容器的内部表面是用砂纸技术制成的,也是用砂纸铸造的,它覆盖了与德国熔化有关的成分。真正的工作是获得带有无定形氧化硅涂层的石英容器,添加硝化硼以减少德国的熔化。石英陶瓷容器是用砂纸铸造成石膏模型的。它是一种水生schlicker,含有70毫升。大约是无定形SiO2的百分比。schlicker的准备是由熔融石英的一阶段湿浸渍法进行的。为了达到这个目的,他们把碎石英玻璃装进了球磨机,并根据固定阶段的浓度添加了水。球质量和装载质量的比例是3:1。经过48小时的磨磨蹭蹭,他们得到了schlicker。在加工后,多余的schlicker被排出,并在室温下干燥。为了在燃烧前将熔融石英铸造到内部表面,还使用了一种混合涂层,包括SiO2和BN,质量75和25。分别占。引入更多的硝化硼会导致内部的不均匀和破裂,或者在干燥的过程中,退火的脂肪。烧窑商业化后容器进行烘干和大气中的氮约1200°圣两ч.установл内,集装箱从熔融石英和基础材料密度покрытиясоставля1.95 g / cm3,多孔~ 11.0%零作弊人数从1到100μm。
本文章由计算机程序翻译,如有差异,请以英文原文为准。
求助全文
约1分钟内获得全文 去求助
来源期刊
自引率
0.00%
发文量
0
期刊最新文献
Быстродействующие вертикально-излучающие лазеры диапазона 1550 нм Влияние приповерхностного изгиба зон на фотоэмиссионные характеристики p-GaN(Cs,O) фотокатодов Влияние ступенчатого профиля состава на формирование инверсии в пленках материала кадмий-ртуть-теллур Электрофизические и оптические свойства органических светодиодных структур с эмиссионным слоем ЯК-203 Функциональные оптические элементы и устройства терагерцовой фотоники на основе метаповерхностей
×
引用
GB/T 7714-2015
复制
MLA
复制
APA
复制
导出至
BibTeX EndNote RefMan NoteFirst NoteExpress
×
×
提示
您的信息不完整,为了账户安全,请先补充。
现在去补充
×
提示
您因"违规操作"
具体请查看互助需知
我知道了
×
提示
现在去查看 取消
×
提示
确定
0
微信
客服QQ
Book学术公众号 扫码关注我们
反馈
×
意见反馈
请填写您的意见或建议
请填写您的手机或邮箱
已复制链接
已复制链接
快去分享给好友吧!
我知道了
×
扫码分享
扫码分享
Book学术官方微信
Book学术文献互助
Book学术文献互助群
群 号:481959085
Book学术
文献互助 智能选刊 最新文献 互助须知 联系我们:info@booksci.cn
Book学术提供免费学术资源搜索服务,方便国内外学者检索中英文文献。致力于提供最便捷和优质的服务体验。
Copyright © 2023 Book学术 All rights reserved.
ghs 京公网安备 11010802042870号 京ICP备2023020795号-1