光子捕获探测器

增强型光电探测器是在硅绝缘体衬底上制造的，衬底包括 3 微米的二氧化硅层和 1.5 微米的硅器件层。在此基础上，通过蒸发工艺沉积了一层 80 纳米的硒化铅薄膜。通过离子蚀刻形成了正方形晶格的孔阵列。孔的深度为 150 纳米。中国科学家制作了三个器件：一个不带孔阵列，两个带孔，直径（d）/晶格周期（p）值分别为 700/1,000 nm 和 700/2,333 nm。在顶层放置了两组独立的金金属指标，作为间隙电极，以便在硒化铅薄膜中产生电场。研究小组测量并比较了这三种器件在不同波长下的探测性能。研究人员发现，与基于有限差分时域法的数值模拟结果一致，光电探测器的峰值吸收波长随着晶格周期的增加而增加。当晶格周期为 1,000 nm、1,280 nm 和 1,520 nm 时，850 nm、1,064 nm、1,310 nm 和 1,550 nm 处的吸收率分别超过 90%。