近阈值宽电压设计审查

本文对存储器的近阈值宽电压设计、弹性逻辑设计、低压射频（RF）电路和时序分析进行了全面的综述。随着可穿戴应用的蓬勃发展，低功耗已成为IC设计的主要挑战之一。为了提高功率效率，优选的方案是在近阈值电压（NTV）的超低电压下操作。针对性能的变化和退化，提出了一种低电压下的自适应裕度分配技术。所提出的技术实时跟踪电路状态，并动态分配电压裕度，降低了最小电源电压，实现了更高的能效。自适应裕度分配技术可用于静态随机存取存储器（SRAM）、数字电路和模拟/RF电路。基于自适应裕度分配技术，40nm CMOS工艺中的最小电压降低到0.6V甚至更低，能效提高了3-4倍。