Датчик угла поворота на основе одномерного фотонного кристалла с дефектом

Abstract

Представлены результаты численного моделирования оптических свойств одномерного (1D) фотонного кристалла с дефектом на основе слоев полупроводник-диэлектрик в ближнем ИК диапазоне. При моделировании использовались слои кремния и диоксида кремния с оптической толщиной 3λ/4, λ/4 и 10λ/4. Изучено влияние угла падения излучения на спектральное положение полосы пропускания дефекта. Показано, что чувствительность к углу поворота лежит в пределах 6-20 nm/deg и 1.7-5.5 dB/deg в зависимости от геометрии датчика и метода измерений. Это делает данные фотонные кристаллы перспективными для использования в датчиках угла поворота в качестве чувствительного элемента. Ключевые слова: датчик угла поворота, угол падения, фотонный кристалл, фотонная запрещенная зона, передаточная матрица.