{"title":"电光调制器的特性，基于量子量子化效应，在InP底座上的双顶叶波导InAlGaAs。","authors":"Р.М. Тазиев","doi":"10.34077/rcsp2019-86","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Выполнено численное исследование электрооптического модулятора на основе интерферометра\nМаха-Цендера (см. Фиг. 1) с делителями пучка MMI 12 и 22 в структуре с квантовыми ямами на\nсверхрешетке In0.52Al0.09Ga0.38As/In0.53Al0.3Ga0.17As на подложке фосфида индия. Данные структуры\nобеспечивают высокую эффективность электрооптического управления и формируют двойной\nгребенчатый волновод с уникальными оптическим свойствами. В частности, путем изменения\nширины волновода можно изменять поперечный размер фундаментальной моды и, тем самым,\nобеспечить более простую и эффективную стыковку с оптическим волокном. Наличие квантоворазмерного эффекта Штарка обеспечивает высокую эффективность управления. В частности, для\nквантовых ям шириной 15 нм можно реализовать электрооптический модулятор бегущей волны с\nуправляющим напряжением 1 вольт на активной длине модулятора 100 мкм. Проведено описание\nоптических и СВЧ свойств электрооптического модулятора на полупроводниковых структурах\nInAlGaAs на подложках InP. Основные выводы проиллюстрированы методами численного\nмоделирования с использование оптического пакета от Rsoft [1].","PeriodicalId":118786,"journal":{"name":"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»","volume":"78 1 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2019-05-24","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"Свойства электрооптического модулятора на основе квантово-размерного эффекта\\nШтарка в двуслойном гребенчатом волноводе InAlGaAs на подложке InP\",\"authors\":\"Р.М. Тазиев\",\"doi\":\"10.34077/rcsp2019-86\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"Выполнено численное исследование электрооптического модулятора на основе интерферометра\\nМаха-Цендера (см. Фиг. 1) с делителями пучка MMI 12 и 22 в структуре с квантовыми ямами на\\nсверхрешетке In0.52Al0.09Ga0.38As/In0.53Al0.3Ga0.17As на подложке фосфида индия. Данные структуры\\nобеспечивают высокую эффективность электрооптического управления и формируют двойной\\nгребенчатый волновод с уникальными оптическим свойствами. В частности, путем изменения\\nширины волновода можно изменять поперечный размер фундаментальной моды и, тем самым,\\nобеспечить более простую и эффективную стыковку с оптическим волокном. Наличие квантоворазмерного эффекта Штарка обеспечивает высокую эффективность управления. В частности, для\\nквантовых ям шириной 15 нм можно реализовать электрооптический модулятор бегущей волны с\\nуправляющим напряжением 1 вольт на активной длине модулятора 100 мкм. Проведено описание\\nоптических и СВЧ свойств электрооптического модулятора на полупроводниковых структурах\\nInAlGaAs на подложках InP. Основные выводы проиллюстрированы методами численного\\nмоделирования с использование оптического пакета от Rsoft [1].\",\"PeriodicalId\":118786,\"journal\":{\"name\":\"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»\",\"volume\":\"78 1 1\",\"pages\":\"0\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2019-05-24\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.34077/rcsp2019-86\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2019-86","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
Свойства электрооптического модулятора на основе квантово-размерного эффекта
Штарка в двуслойном гребенчатом волноводе InAlGaAs на подложке InP
Выполнено численное исследование электрооптического модулятора на основе интерферометра
Маха-Цендера (см. Фиг. 1) с делителями пучка MMI 12 и 22 в структуре с квантовыми ямами на
сверхрешетке In0.52Al0.09Ga0.38As/In0.53Al0.3Ga0.17As на подложке фосфида индия. Данные структуры
обеспечивают высокую эффективность электрооптического управления и формируют двойной
гребенчатый волновод с уникальными оптическим свойствами. В частности, путем изменения
ширины волновода можно изменять поперечный размер фундаментальной моды и, тем самым,
обеспечить более простую и эффективную стыковку с оптическим волокном. Наличие квантоворазмерного эффекта Штарка обеспечивает высокую эффективность управления. В частности, для
квантовых ям шириной 15 нм можно реализовать электрооптический модулятор бегущей волны с
управляющим напряжением 1 вольт на активной длине модулятора 100 мкм. Проведено описание
оптических и СВЧ свойств электрооптического модулятора на полупроводниковых структурах
InAlGaAs на подложках InP. Основные выводы проиллюстрированы методами численного
моделирования с использование оптического пакета от Rsoft [1].
京公网安备 11010802042870号
京ICP备2023020795号-1
分享
求助内容：
应助结果提醒方式：
扫码关注我们
