Диагностика МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe при высокой плотности медленных поверхностных состояний

Проблемой, возникающей при использовании для пассивации поверхности МЛЭ HgCdTe диэлектрика Al2O3, сформированного методом плазменного нанесения атомных слоев [1], (а также SiO2/Si3N4) является высокая плотность медленных состояний в переходном слое между диэлектрическим покрытием и HgCdTe [2]. Гистерезисные явления значительно осложняют электрофизическую диагностику МДП-структур. В данной работе исследованы возможности методики измерения первой производной емкости при сложной форме развертки напряжения [3] для характеризации МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe с приповерхностными варизонными слоями. Показано, что использование при исследованиях МДП-структур на основе HgCdTe сложной формы развертки напряжения позволяет определить первую производную емкости по напряжению при различных смещениях с исключением влияния перезарядки медленных поверхностных состояний. При совместном использовании результатов традиционного C-V метода и предложенной методики можно построить вольт-фарадные характеристики без искажений, вносимых перезарядкой медленных состояний [4]. Форма полученных зависимостей не зависит от направления изменения напряжения, такие зависимости могут быть использованы для расчета спектров быстрых поверхностных состояний или зависимостей концентрации легирующей примеси от координаты (рисунок). Проведено сравнение экспериментальных результатов с данными численного моделирования.