{"title":"超细胶质纳米板CdSe的增长与紫外线荧光有关。","authors":"","doi":"10.34077/rcsp2019-109","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Двумерные (2D) полупроводники обладают уникальными электронными и оптическими\nсвойствами, возникающими из-за атомно-тонкой толщины и двумерной электронной структуры.\nИзменяя размер таких частиц, можно контролировать длину волны люминесценции и поглощения,\nчто представляет не только фундаментальный, но и практический интерес. Среди возможных сфер\nприменения можно выделить солнечные элементы, катализ, оптоэлектронику и т.п. В настоящей\nработе мы впервые вырастили и изучили структуру и свойства атомно-тонких нанолистов CdSe со\nспектральным положением экситонных полос 396 нм. Данные квазидвумерные наночастицы\nинтересны благодаря чрезвычайно узким полосам поглощения и люминесценции и иначе называются\nколлоидными квантовыми ямами (quantum wells) [1,2].\nВ рамках данной работы впервые были разработаны условия\nпрепаративного синтеза квазидвумерных наночастиц CdSe в\nсистеме октадецен – ацетат кадмия – олеиновая кислота в\nатмосфере аргона при температурах роста 110-160 с\nиспользованием триоктилфосфинселенида в качестве\nпрекурсора селена. Получены квазидвумерные наночастицы\nCdSe с длиной волны первого экситонного максимума 396 нм.\nТемпературная зависимость роста была проанализирована с\nиспользованием спекторскопии поглощения. Путем\nтщательного подбора условий синтеза удалось избавиться от\nпримесной популяции с длиной волны первого экситонного\nмаксимума 463 нм. Была предложена методика\nпоследовательного увеличения латеральных размеров\nнанолистов с прецизионным сохранением толщины. Были\nполучены нанолисты с латеральным размером до 1 мкм со\nстрого фиксированной толщиной 2 монослоя. По данным\nэлектронной микроскопии была установлена морфология\nполученных наночастиц, которые представляют собой многократно свернутые прямоугольные листы,\nа так же был рассчитан их приблизительный латеральный размер, который составил 150 нм для\nодностадийного синтеза и до 1 мкм для многостадийного. Исходя из данных рентгеновской\nдифракции, был сделан вывод, что полученные наночастицы обладают структурой цинковой обманки\nс тетрагональным искажением. Проанализированы оптические свойства синтезированных\nнаночастиц, показавшие наличие узких экситонных полос поглощения и люминесценции с длиной\nволны 396 нм и шириной порядка 10 нм.\nТаким образом в настоящей работе были достигнуты цели по разработке условий препаративного\nсинтеза квазидвумерных наночастиц на основе CdSe и изучению уникальных свойств полученных\nобразцов, которые, благодаря своим узким полосам люминесценции и высокой чистоте света, могут\nнайти широкое применение в оптоэлектронике.","PeriodicalId":118786,"journal":{"name":"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»","volume":"1 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2019-05-24","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"Рост ультратонкой популяции коллоидных нанолистов CdSe с УФ люминесценцией\",\"authors\":\"\",\"doi\":\"10.34077/rcsp2019-109\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"Двумерные (2D) полупроводники обладают уникальными электронными и оптическими\\nсвойствами, возникающими из-за атомно-тонкой толщины и двумерной электронной структуры.\\nИзменяя размер таких частиц, можно контролировать длину волны люминесценции и поглощения,\\nчто представляет не только фундаментальный, но и практический интерес. Среди возможных сфер\\nприменения можно выделить солнечные элементы, катализ, оптоэлектронику и т.п. В настоящей\\nработе мы впервые вырастили и изучили структуру и свойства атомно-тонких нанолистов CdSe со\\nспектральным положением экситонных полос 396 нм. Данные квазидвумерные наночастицы\\nинтересны благодаря чрезвычайно узким полосам поглощения и люминесценции и иначе называются\\nколлоидными квантовыми ямами (quantum wells) [1,2].\\nВ рамках данной работы впервые были разработаны условия\\nпрепаративного синтеза квазидвумерных наночастиц CdSe в\\nсистеме октадецен – ацетат кадмия – олеиновая кислота в\\nатмосфере аргона при температурах роста 110-160 с\\nиспользованием триоктилфосфинселенида в качестве\\nпрекурсора селена. Получены квазидвумерные наночастицы\\nCdSe с длиной волны первого экситонного максимума 396 нм.\\nТемпературная зависимость роста была проанализирована с\\nиспользованием спекторскопии поглощения. Путем\\nтщательного подбора условий синтеза удалось избавиться от\\nпримесной популяции с длиной волны первого экситонного\\nмаксимума 463 нм. Была предложена методика\\nпоследовательного увеличения латеральных размеров\\nнанолистов с прецизионным сохранением толщины. Были\\nполучены нанолисты с латеральным размером до 1 мкм со\\nстрого фиксированной толщиной 2 монослоя. По данным\\nэлектронной микроскопии была установлена морфология\\nполученных наночастиц, которые представляют собой многократно свернутые прямоугольные листы,\\nа так же был рассчитан их приблизительный латеральный размер, который составил 150 нм для\\nодностадийного синтеза и до 1 мкм для многостадийного. Исходя из данных рентгеновской\\nдифракции, был сделан вывод, что полученные наночастицы обладают структурой цинковой обманки\\nс тетрагональным искажением. Проанализированы оптические свойства синтезированных\\nнаночастиц, показавшие наличие узких экситонных полос поглощения и люминесценции с длиной\\nволны 396 нм и шириной порядка 10 нм.\\nТаким образом в настоящей работе были достигнуты цели по разработке условий препаративного\\nсинтеза квазидвумерных наночастиц на основе CdSe и изучению уникальных свойств полученных\\nобразцов, которые, благодаря своим узким полосам люминесценции и высокой чистоте света, могут\\nнайти широкое применение в оптоэлектронике.\",\"PeriodicalId\":118786,\"journal\":{\"name\":\"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»\",\"volume\":\"1 1\",\"pages\":\"0\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2019-05-24\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.34077/rcsp2019-109\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019»","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2019-109","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0

摘要

二维(2D)半导体具有独特的电子和光学特性,这是由于原子薄度和电子结构的二维。通过改变这些粒子的大小,你可以控制光的波长和吸收,这不仅是基本的,而且是实际的兴趣。在可能的应用领域中,可以分离出太阳能元素、催化、光电等,这是我们在实际工作中首次开发和研究了exiton 396纳米带的原子薄膜结构和性能。这些准二维纳米粒子之所以有趣,是因为它们的吸收和发光带非常窄,也被称为量子坑(1.2)。在这一工作中,第一次开发了一种合成二维CdSe纳米颗粒的合成器——屋大维CdSe——是在110-160摄氏度的生长温度下由三环磷酸盐转化为硒的前体。= =结果= =拟二维纳米粒子产生了第一个x值最大值为396 nm的波长。对生长的温度依赖被斯佩克特吸收的抑制分析。经过仔细选择的合成条件,第一次x射线最大值463纳米波长的分离种群被清除。有人提出了一种方法来增加外侧分层层,并保持厚度。有一个纳米板,它的外侧尺寸可达1 mkm,厚度严格固定。这种纳米形态被放置在可折叠的长方形纸上,并计算出它们的近似外侧尺寸,为单相合成150纳米,为多相1 mkm。根据x射线衍射数据,我们得出的结论是,纳米粒子具有正交正交欺骗的结构。合成纳米粒子的光学性能分析显示,在396纳米波长和10纳米宽的范围内存在窄的x色带和发光。因此,本项工作实现了在CdSe基础上制订准二维纳米粒子合成条件的目标,并研究了因其狭窄的发光带和高纯度光而产生的独特特性的目标。
本文章由计算机程序翻译,如有差异,请以英文原文为准。
查看原文
分享 分享
微信好友 朋友圈 QQ好友 复制链接
本刊更多论文
Рост ультратонкой популяции коллоидных нанолистов CdSe с УФ люминесценцией
Двумерные (2D) полупроводники обладают уникальными электронными и оптическими свойствами, возникающими из-за атомно-тонкой толщины и двумерной электронной структуры. Изменяя размер таких частиц, можно контролировать длину волны люминесценции и поглощения, что представляет не только фундаментальный, но и практический интерес. Среди возможных сфер применения можно выделить солнечные элементы, катализ, оптоэлектронику и т.п. В настоящей работе мы впервые вырастили и изучили структуру и свойства атомно-тонких нанолистов CdSe со спектральным положением экситонных полос 396 нм. Данные квазидвумерные наночастицы интересны благодаря чрезвычайно узким полосам поглощения и люминесценции и иначе называются коллоидными квантовыми ямами (quantum wells) [1,2]. В рамках данной работы впервые были разработаны условия препаративного синтеза квазидвумерных наночастиц CdSe в системе октадецен – ацетат кадмия – олеиновая кислота в атмосфере аргона при температурах роста 110-160 с использованием триоктилфосфинселенида в качестве прекурсора селена. Получены квазидвумерные наночастицы CdSe с длиной волны первого экситонного максимума 396 нм. Температурная зависимость роста была проанализирована с использованием спекторскопии поглощения. Путем тщательного подбора условий синтеза удалось избавиться от примесной популяции с длиной волны первого экситонного максимума 463 нм. Была предложена методика последовательного увеличения латеральных размеров нанолистов с прецизионным сохранением толщины. Были получены нанолисты с латеральным размером до 1 мкм со строго фиксированной толщиной 2 монослоя. По данным электронной микроскопии была установлена морфология полученных наночастиц, которые представляют собой многократно свернутые прямоугольные листы, а так же был рассчитан их приблизительный латеральный размер, который составил 150 нм для одностадийного синтеза и до 1 мкм для многостадийного. Исходя из данных рентгеновской дифракции, был сделан вывод, что полученные наночастицы обладают структурой цинковой обманки с тетрагональным искажением. Проанализированы оптические свойства синтезированных наночастиц, показавшие наличие узких экситонных полос поглощения и люминесценции с длиной волны 396 нм и шириной порядка 10 нм. Таким образом в настоящей работе были достигнуты цели по разработке условий препаративного синтеза квазидвумерных наночастиц на основе CdSe и изучению уникальных свойств полученных образцов, которые, благодаря своим узким полосам люминесценции и высокой чистоте света, могут найти широкое применение в оптоэлектронике.
求助全文
通过发布文献求助,成功后即可免费获取论文全文。 去求助
来源期刊
自引率
0.00%
发文量
0
期刊最新文献
Быстродействующие вертикально-излучающие лазеры диапазона 1550 нм Влияние приповерхностного изгиба зон на фотоэмиссионные характеристики p-GaN(Cs,O) фотокатодов Влияние ступенчатого профиля состава на формирование инверсии в пленках материала кадмий-ртуть-теллур Электрофизические и оптические свойства органических светодиодных структур с эмиссионным слоем ЯК-203 Функциональные оптические элементы и устройства терагерцовой фотоники на основе метаповерхностей
×
引用
GB/T 7714-2015
复制
MLA
复制
APA
复制
导出至
BibTeX EndNote RefMan NoteFirst NoteExpress
×
×
提示
您的信息不完整,为了账户安全,请先补充。
现在去补充
×
提示
您因"违规操作"
具体请查看互助需知
我知道了
×
提示
现在去查看 取消
×
提示
确定
0
微信
客服QQ
Book学术公众号 扫码关注我们
反馈
×
意见反馈
请填写您的意见或建议
请填写您的手机或邮箱
已复制链接
已复制链接
快去分享给好友吧!
我知道了
×
扫码分享
扫码分享
Book学术官方微信
Book学术文献互助
Book学术文献互助群
群 号:481959085
Book学术
文献互助 智能选刊 最新文献 互助须知 联系我们:info@booksci.cn
Book学术提供免费学术资源搜索服务,方便国内外学者检索中英文文献。致力于提供最便捷和优质的服务体验。
Copyright © 2023 Book学术 All rights reserved.
ghs 京公网安备 11010802042870号 京ICP备2023020795号-1