Локализованные состояния и фоточувствительность пленок PbSnTe:In в ИК и ТГц областях спектра

Рассмотрены особенности фоточувствительности структур на основе пленок узкозонного твердого раствора PbSnTe:In, полученных методом МЛЭ на подложках (111)BaF2. Исследованы образцы с содержанием SnTe ~ 24-32 %, для которых при гелиевых температурах в отсутствие освещения наблюдалось полу-изолирующее состояние [1]. Спектральная чувствительность в ИК области определяется межзонными переходами в условиях захвата одного типа неравновесных носителей заряда на локализованные состояния. Рассмотрены экспериментальные результаты по ИК чувствительности PbSnTe:In МДП-структур (диэлектрик - полипропиленовая пленка толщиной 8 мкм, величина затворного напряжения - до ±1250 В), в которых проводимость n + -i-n + канала c длиной iобласти 50 мкм определяется токами, ограниченными пространственным зарядом (ТОПЗ). Из приведенного рисунка видно, что поведение темнового и фототока качественно различно для разных полярностей затворного напряжения Uзатв. Так, в момент () для (+) наблюдалась отрицательная фотопроводимость с уменьшением тока примерно в 100 раз, тогда как для (-) фототок возрастал монотонно. Для (-) в области t > 880 с (уменьшение Uзатв) «всплеск» тока для (-) примерно в 100 раз больше по величине и существенно отличается по форме от (+). Это свидетельствует о существенном влиянии на ИК фотопроводимость локализованных состояний, расположенных на поверхности или вблизи нее, что находится в согласии с данными по влиянию химической обработки поверхности на ИК фотопроводимость [2]. Приведены экспериментальные данные по фоточувствительности структур на основе PbSnTe:In в ТГц диапазоне спектра в различных режимах. Полученные результаты анализируются на основе представлений о сложном энергетическом спектре локализованных состояний, которые могут заполняться как при освещении в фундаментальной области поглощения, так и за счет инжекции из контактов в режиме ТОПЗ.