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引用次数: 6
摘要
本研究比较了闪蒸法和等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备的GeSe x玻璃薄膜中Ag的光溶解:所研究的成分范围x从3到5.5。本文还介绍了这些薄膜的制备方法及其光学和电学表征。光溶解期间反射率随时间的测量值与理论“阶梯”多层模型进行了比较。从PECVD工艺中得到的ges4似乎最适合VLSI微光刻Le，但在比较了de la光溶解de l'Ag和Le gesx x pour des echantillons obtenus par蒸发闪蒸和des echantillons deposes par PECVD(等离子体增强化学气相沉积)和ceci后，不同的值de x (3本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。
Etude comparative de la photodissolution de l'argent dans les films minces de GeSex obtenus par évaporation flash et dépôt PECVD
This work compares the Ag photodissolution in the GeSe x glassy thin films elaborated from flash evaporation and from Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD): the investigated composition range x runs from 3 to 5.5. The manufacturing of these thin films and their optical and electrical caracterization are also given. Measurements of the reflectivity versus time during photodissolution are compared to the theoretical «step-like» multilayer model. The composition GeSe 4 from PECVD technics seems to be the most suitable for the VLSI microlithography Le but de ce travail est une etude comparative de la photodissolution de l'Ag dans le GeSe x pour des echantillons obtenus par evaporation flash et des echantillons deposes par PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) et ceci pour differentes valeurs de x (3
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