《Nature Electronics》:剑桥大学突破二维器件技术瓶颈
材料科学与工程
2024-09-07 18:32
文章摘要
剑桥大学在《Nature Electronics》上发表的论文探讨了二维过渡金属二硫化物(TMDs)在电子设备中的应用及其面临的挑战。文章指出,尽管TMDs在电子、光电及光子学领域展现出优异性能,但其高缺陷密度和界面问题限制了器件性能的提升。研究团队提出了通过优化材料质量和界面来解决这些问题的策略,包括开发高质量的TMDs材料、探索新的掺杂技术以及寻找与二维材料兼容的高介电常数介质。这些研究旨在克服技术瓶颈,实现高性能、稳定和可扩展的二维TMDs电子器件。
本站注明稿件来源为其他媒体的文/图等稿件均为转载稿,本站转载出于非商业性的教育和科研之目的,并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性。如转载稿涉及版权等问题,请作者速来电或来函联系。