Laser Photon. Rev. | 垂直集成micro-LED阵列革新无掩膜紫外光刻技术

中国科学技术大学微电子学院孙海定教授的iGaN实验室开发了一种具有光能量自监测、自校准、自适应能力的三维垂直集成深紫外发光器件阵列，并成功应用于新型无掩膜深紫外光刻技术。该研究首次提出将深紫外微型发光二极管（micro-LED）阵列作为光源应用于无掩膜深紫外光刻技术，利用每颗micro-LED的高能量密度、高分辨率、高集成度、低能耗等特点，为实现高精度深紫外光刻提供了一种新的路径和方法。研究成果发表于Laser & Photonics Reviews上，得到了国家重点研发计划项目、国家自然科学基金项目等多项经费的资助。