哈工大&港理工&复旦《Nature》子刊：二维半导体MgNb2O6！

本文介绍了哈尔滨工业大学、香港理工大学和复旦大学的研究人员在二维半导体领域的新发现。他们通过缓冲控制外延生长工艺，成功制备了原子薄的铌酸镁（MgNb2O6）单晶，该材料具有宽带隙、高介电常数、大击穿电压和良好的热可靠性。MgNb2O6与单层二硫化钼（MoS2）形成的范德华界面具有极低的陷阱态密度，使得基于MgNb2O6栅极电介质的MoS2场效应晶体管表现出优异的电特性，包括低滞后现象、高开/关电流比和在高温下的电气可靠性。此外，MgNb2O6的静电可控性使其能够用于制造短沟道石墨烯接触晶体管和逆变器电路。这一研究为二维半导体集成电路提供了新的材料选择，相关成果发表在《Nature Electronics》上。