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集美大学许望颖 AELM:水溶液法超薄二维氧化物薄膜晶体管

MaterialsViews 2024-12-25 08:30
文章摘要
集美大学许望颖等研究团队开发了一种通过水溶液制备的二维(2.7 nm)C轴取向的结晶In-S-O氧化物半导体沟道材料,并基于Si/SiO2基底制造了高性能的二维In-S-O晶体管。该晶体管表现出高迁移率(22.15 cm²/V·s)、高开关电流比(107)和良好的偏压稳定性。研究指出,这些优异的性能得益于高度c轴取向的晶体结构、精心设计的In-S-O沟道材料和原子级平滑的表面。此外,研究还展示了基于全水溶液工艺的准二维 In-S-O/ZrO2超低功耗晶体管器件,展示了低成本水溶液法合成高性能二维金属氧化物半导体的潜力。
集美大学许望颖 AELM:水溶液法超薄二维氧化物薄膜晶体管
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DOI: 10.1021/aev007i024_188102710.1021/aev007i024_1881027 Pub Date : 2024-12-23
IF 5.4 3区 材料科学 Q2
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