兰大/浙大：磁性动力学的全电场操控方向取得重要进展

本文介绍了兰州大学与浙江大学等科研团队在物理学顶级期刊《Physical Review Letters》上发表的研究成果，提出了一种全新的磁写入方式——电压控制双半子力矩驱动面内磁矩翻转。该研究通过利用双半子（Bimeron）力矩转移自旋角动量，实现了电压控制面内磁矩的翻转，为磁随机存储器（MRAM）的写入功能提供了新机制。研究背景在于当前主流的磁写入机制（如自旋转移力矩和自旋轨道力矩）在信息存储的高比特密度、高速读写和低功耗需求下存在局限性。研究目的是开发更小尺寸、更低功耗的磁写入方式。结论表明，该新方法通过电压控制的Dzyaloshinskii-Moriya相互作用实现了手性控制，避免了电子运动和碰撞引发的焦耳热问题，为低功耗MRAM的写入操作提供了高效方案。