О возможности регулирования фотоэлектрического отклика полупроводников специальным пространственным профилированием потока излучения

В А Холоднов
{"title":"О возможности регулирования фотоэлектрического отклика полупроводников\nспециальным пространственным профилированием потока излучения","authors":"В А Холоднов","doi":"10.34077/rcsp2021-58","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Показано, что специальное пространственное профилирование потока излучения открывает возможность.\nрегулирования фотоэлектрического отклика полупроводников (от больше, чем дает ПКН, уменьшения до\nувеличения сопротивления образцов).","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"30 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-58","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0

Abstract

Показано, что специальное пространственное профилирование потока излучения открывает возможность. регулирования фотоэлектрического отклика полупроводников (от больше, чем дает ПКН, уменьшения до увеличения сопротивления образцов).
查看原文
分享 分享
微信好友 朋友圈 QQ好友 复制链接
本刊更多论文
光电响应调节能力,半导体空间通量剖析
它显示了辐射通量的特殊空间剖析是一种可能性。对半导体光电反应的调节(从pcn提供的更多,减少样品阻力的增加)。
本文章由计算机程序翻译,如有差异,请以英文原文为准。
求助全文
约1分钟内获得全文 去求助
来源期刊
自引率
0.00%
发文量
0
期刊最新文献
МЛЭ рост сложных фотоприёмных, лазерных и nBn структур на основе твердых растворов CdHgTe Квантовые сенсоры физических полей на ансамблях NV центров в алмазных наноструктурах Фотоприемные устройства на основе InGaAs О возможности регулирования фотоэлектрического отклика полупроводников специальным пространственным профилированием потока излучения Искусственные подложки GaAs/Si(001), выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии, для оптоэлектронных приложений
×
引用
GB/T 7714-2015
复制
MLA
复制
APA
复制
导出至
BibTeX EndNote RefMan NoteFirst NoteExpress
×
×
提示
您的信息不完整,为了账户安全,请先补充。
现在去补充
×
提示
您因"违规操作"
具体请查看互助需知
我知道了
×
提示
现在去查看 取消
×
提示
确定
0
微信
客服QQ
Book学术公众号 扫码关注我们
反馈
×
意见反馈
请填写您的意见或建议
请填写您的手机或邮箱
已复制链接
已复制链接
快去分享给好友吧!
我知道了
×
扫码分享
扫码分享
Book学术官方微信
Book学术文献互助
Book学术文献互助群
群 号:481959085
Book学术
文献互助 智能选刊 最新文献 互助须知 联系我们:info@booksci.cn
Book学术提供免费学术资源搜索服务,方便国内外学者检索中英文文献。致力于提供最便捷和优质的服务体验。
Copyright © 2023 Book学术 All rights reserved.
ghs 京公网安备 11010802042870号 京ICP备2023020795号-1