Работа в перспективе направлена на получение электролюминесцентного материала в прозрачном для оптоволоконных линий спектральном диапазоне 1.5 мкм по технологии, совместимой с кремниевой. Это откроет возможность гибридизации оптических систем передачи данных с электронными системами обработки информации на уровне процессоров и позволит развить элементную базу оптических коммуникационных систем. Здесь предлагается рассмотреть альтернативный общепринятому A3B5 класс материалов: легированные редкоземельными элементами оксиды. Эта работа посвящена исследованию структуры и нахождению барьеров для инжекции тока в пленках n- и p-SiIn2O3:ErIn-контакт, а так же установлению электронной структуры гетероперехода.
这项工作的目标是在光纤线路1.5 mkm的透明透明中获得电发光材料，这是一项兼容的技术。这将为光学系统提供机会，使selectron信息处理系统在处理器水平上混合，并允许发展光学通信系统的元素基础。建议审查A3B5的替代材料:稀土元素合金。这项工作致力于研究n- Si / In2O3注入电流的结构和障碍，以及建立异质跃迁的电子结构。
{"title":"Барьеры для инжекции носителей в ВЧ-магнетронно напыленные пленки In2O3:Er на\u0000кремнии","authors":"К. В. Феклистов, А. Г. Лемзяков, А. А. Шкляев","doi":"10.34077/rcsp2021-61","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-61","url":null,"abstract":"Работа в перспективе направлена на получение электролюминесцентного материала в прозрачном\u0000для оптоволоконных линий спектральном диапазоне 1.5 мкм по технологии, совместимой с\u0000кремниевой. Это откроет возможность гибридизации оптических систем передачи данных с\u0000электронными системами обработки информации на уровне процессоров и позволит развить\u0000элементную базу оптических коммуникационных систем. Здесь предлагается рассмотреть\u0000альтернативный общепринятому A3B5 класс материалов: легированные редкоземельными элементами\u0000оксиды. Эта работа посвящена исследованию структуры и нахождению барьеров для инжекции тока в\u0000пленках n- и p-SiIn2O3:ErIn-контакт, а так же установлению электронной структуры гетероперехода.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"98 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"115472231","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
С целью определения объемной длины диффузии ld фотогенерированных носителей заряда (ФНЗ) в материале кадмий-ртуть-теллур (КРТ) n-типа проводимости были проведены измерения профилей сканирования диодом p-на-n фотоприёмной матрицы пятна засветки в виде узкой засвеченной полоски при последовательном уменьшении отбираемого из слоя абсорбера фототока. В эксперименте использовался фотоприемник средневолнового ИК-диапазона, абсорбер которого был легирован индием до концентрации 3.9·1015 см-3 в процессе роста материала методом МЛЭ. Стехиометрический коэффициент материала КРТ абсорбера был равен x=0.295. Период матрицы составлял 15 мкм, а размер её диодов был равен ≈ 5x5 мкм.
{"title":"Определение объемной длины диффузии фотогенерированных носителей заряда в МЛЭ\u0000КРТ n-типа проводимости с x=0.295 методом сканирования светового пятна диодом\u0000фотоприёмной матрицы","authors":"А. В. Вишняков, В. В. Васильев, В. С. Варавин","doi":"10.34077/rcsp2021-142","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-142","url":null,"abstract":"С целью определения объемной длины диффузии ld фотогенерированных носителей заряда (ФНЗ) в\u0000материале кадмий-ртуть-теллур (КРТ) n-типа проводимости были проведены измерения профилей\u0000сканирования диодом p-на-n фотоприёмной матрицы пятна засветки в виде узкой засвеченной полоски\u0000при последовательном уменьшении отбираемого из слоя абсорбера фототока. В эксперименте\u0000использовался фотоприемник средневолнового ИК-диапазона, абсорбер которого был легирован\u0000индием до концентрации 3.9·1015 см-3\u0000в процессе роста материала методом МЛЭ. Стехиометрический\u0000коэффициент материала КРТ абсорбера был равен x=0.295. Период матрицы составлял 15 мкм, а размер\u0000её диодов был равен ≈ 5x5 мкм.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"51 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"126930408","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
М. О. Петрушков, Евгений Александрович Емельянов, М. А. Путято
Из-за несоответствия постоянных решёток и коэффициентов температурного линейного расширения Si и GaAs в эпитаксиальных пленках образуется большая плотность пронизывающих дислокаций (ПД), которые ухудшают оптические и электрофизические свойства гетероструктур. В данной работе с целью снижения ПД использовались дислокационные фильтры на основе слоев низкотемпературного GaAs (LT-GaAs), выращенных при 250ºС. Также проводились in situ циклические отжиги эпитаксиальных структур на различных этапах их выращивания и ex situ отжиги уже выращенных образцов. Температура отжигов составляла 650ºC, что всего на 50ºС превышает температуру роста GaAs. Определены условия, при которых совместное применение дислокационных фильтров на основе LT-GaAs и циклических отжигов позволяет снизить плотность ПД в приповерхностных слоях GaAs до 5·106 см-2 , а концентрацию центров безызлучательной рекомбинации до уровня, сравнимого с гомоэпитаксиальными структурами GaAs при общей толщине слоев GaAs/Si до 2.4 мкм.
{"title":"Искусственные подложки GaAs/Si(001), выращенные методом молекулярно-лучевой\u0000эпитаксии, для оптоэлектронных приложений","authors":"М. О. Петрушков, Евгений Александрович Емельянов, М. А. Путято","doi":"10.34077/rcsp2021-40","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-40","url":null,"abstract":"Из-за несоответствия постоянных решёток и коэффициентов температурного линейного\u0000расширения Si и GaAs в эпитаксиальных пленках образуется большая плотность пронизывающих\u0000дислокаций (ПД), которые ухудшают оптические и электрофизические свойства гетероструктур. В\u0000данной работе с целью снижения ПД использовались дислокационные фильтры на основе слоев\u0000низкотемпературного GaAs (LT-GaAs), выращенных при 250ºС. Также проводились in situ\u0000циклические отжиги эпитаксиальных структур на различных этапах их выращивания и ex situ отжиги\u0000уже выращенных образцов. Температура отжигов составляла 650ºC, что всего на 50ºС превышает\u0000температуру роста GaAs. Определены условия, при которых совместное применение дислокационных\u0000фильтров на основе LT-GaAs и циклических отжигов позволяет снизить плотность ПД в\u0000приповерхностных слоях GaAs до 5·106\u0000см-2\u0000, а концентрацию центров безызлучательной рекомбинации\u0000до уровня, сравнимого с гомоэпитаксиальными структурами GaAs при общей толщине слоев GaAs/Si\u0000до 2.4 мкм.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"24 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"114279159","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Для применения тройного раствора CdHgTe в прикладных задачах необходимо подобрать для него хорошее пассивирующее покрытие. Пассивирующие покрытия характеризуется рядом параметров: плотностью поверхностных состояний, однородностью и величиной встроенного заряда в диэлектрической плёнке и др. В работах, исследовавших границу раздела гетеро-эпитаксиальных структур (ГЭС) CdHgTe выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксией (МЛЭ) и Al2O3, нанесенного методом плазменно-индуцированного атомно-слоевого осаждения (ПАСО) при температуре образца 120°С, отмечается, что данный диэлектрик обладает хорошими пассивирующими свойствами [1, 2]. Известно, что стехиометрия и количество примесей в Al2O3, выращенного методом ПАСО, достигает оптимума при температурах 200-300 °С [3]. С другой стороны, с поверхности CdHgTe, в вакууме, начинает испаряться ртуть уже при 80 °С [4]. В литературе не встречается работы, в которых проводились исследования по поиску оптимальных параметров роста Al2O3, выращенного методом ПАСО, на CdHgTe. Цель данной работы – исследование параметров пассивирующих слоев Al2O3, выращенного методом ПАСО на CdHgTe при различных температурах и обработках CdHgTe перед ростом диэлектрической плёнки.
{"title":"Исследование свойств пассивирующего покрытия Al2O3, выращенного при различных\u0000параметрах роста на CdHgTe","authors":"Д В Горшков, Г. И. Сидоров, Д.В. Марин","doi":"10.34077/rcsp2021-137","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-137","url":null,"abstract":"Для применения тройного раствора CdHgTe в прикладных задачах необходимо подобрать для него\u0000хорошее пассивирующее покрытие. Пассивирующие покрытия характеризуется рядом параметров:\u0000плотностью поверхностных состояний, однородностью и величиной встроенного заряда в\u0000диэлектрической плёнке и др. В работах, исследовавших границу раздела гетеро-эпитаксиальных\u0000структур (ГЭС) CdHgTe выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксией (МЛЭ) и Al2O3,\u0000нанесенного методом плазменно-индуцированного атомно-слоевого осаждения (ПАСО) при\u0000температуре образца 120°С, отмечается, что данный диэлектрик обладает хорошими пассивирующими\u0000свойствами [1, 2]. Известно, что стехиометрия и количество примесей в Al2O3, выращенного методом\u0000ПАСО, достигает оптимума при температурах 200-300 °С [3]. С другой стороны, с поверхности\u0000CdHgTe, в вакууме, начинает испаряться ртуть уже при 80 °С [4]. В литературе не встречается работы,\u0000в которых проводились исследования по поиску оптимальных параметров роста Al2O3, выращенного\u0000методом ПАСО, на CdHgTe. Цель данной работы – исследование параметров пассивирующих слоев\u0000Al2O3, выращенного методом ПАСО на CdHgTe при различных температурах и обработках CdHgTe\u0000перед ростом диэлектрической плёнки.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"78 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"130642585","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Исследовано воздействие процесса скрайбирования лазерным излучением в водной среде на кремниевые СБИС, применяемые в гибридных фотоприёмниках инфракрасного излучения. Особенностью лазерного скрайбирования в водной среде является быстрое охлаждение расплава водой и, как результат, полное отсутствие расплава в канавке и на поверхности приборной пластины.
{"title":"Скрайбирование кремниевых приборных пластин лазерным излучением в водной\u0000среде","authors":"А.Р. Новоселов","doi":"10.34077/rcsp2021-154","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-154","url":null,"abstract":"Исследовано воздействие процесса скрайбирования лазерным излучением в водной среде на\u0000кремниевые СБИС, применяемые в гибридных фотоприёмниках инфракрасного излучения.\u0000Особенностью лазерного скрайбирования в водной среде является быстрое охлаждение расплава\u0000водой и, как результат, полное отсутствие расплава в канавке и на поверхности приборной пластины.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"158 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"121528888","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
{"title":"Комбинационное рассеяние света полупроводниковых структур с нанометровым\u0000пространственным разрешением","authors":"А. Г. Милехин, Н. Н. Курусь, Л.С. Басалаева","doi":"10.34077/rcsp2021-55","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-55","url":null,"abstract":"Сообщается об обнаружении комбинационного рассеяния света (КРС) двумерными, одномерными\u0000и нульмерными полупроводниковыми наноструктурами, усиленного металлизированным зондом\u0000атомного-силового микроскопа (АСМ). При нанесении наноструктур на поверхность массивов\u0000золотых нанодисков обнаружено гигантское усиление сигнала КРС при нанометровом\u0000пространственном разрешении (нано-КРС).","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"33 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"124448949","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Данная работа посвящена исследованию в режиме щелевого плазмона с нанометровым пространственным разрешением КРС оптическими колебаниями пленки мультиграфена, расположенного на подложке в виде периодического массива золотых нанодисков. Получено усиление (Ку ~ 100) основных колебательных мод мультиграфена, наблюдаемых в области золотых нанодисков. Известно, что колебательный спектр графена изменяется при отклонении кристаллической структуры от идеальной. В данной работе показано, что метод усиленного зондом комбинационного рассеяния света чувствителен к механическим напряжениям в графене. Благодаря нанометровому пространственному разрешению записана карта КРС, визуализирующая складки в графене, лежащем на массиве золотых нанодисков. Полученные результаты свидетельствуют о перспективности данного метода в исследовании локальных дефектов в структуре двумерных графеноподобных материалов.
{"title":"Исследование комбинационного рассеяния света графеном с нанометровым\u0000пространственным разрешением","authors":"Н. Н. Курусь, И. А. Милехин, Н.А. Небогатикова","doi":"10.34077/rcsp2021-66","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-66","url":null,"abstract":"Данная работа посвящена исследованию в режиме щелевого плазмона с нанометровым\u0000пространственным разрешением КРС оптическими колебаниями пленки мультиграфена,\u0000расположенного на подложке в виде периодического массива золотых нанодисков.\u0000Получено усиление (Ку ~ 100) основных колебательных мод мультиграфена, наблюдаемых в\u0000области золотых нанодисков. Известно, что колебательный спектр графена изменяется при отклонении\u0000кристаллической структуры от идеальной. В данной работе показано, что метод усиленного зондом\u0000комбинационного рассеяния света чувствителен к механическим напряжениям в графене. Благодаря\u0000нанометровому пространственному разрешению записана карта КРС, визуализирующая складки в\u0000графене, лежащем на массиве золотых нанодисков. Полученные результаты свидетельствуют о\u0000перспективности данного метода в исследовании локальных дефектов в структуре двумерных\u0000графеноподобных материалов.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"28 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"126518998","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Мозаичные фотоприемники (МФП) сверхвысокой размерности создают посредством технологии прецизионной микросборки субмодулей меньшего, приемлемого для изготовления формата [1-11]. Мозаичная технология является прорывным решением проблемы кардинального увеличения форматов фотоприемников. Применение МФП ограничивается размерами "слепых зон" [1-8]. Уменьшение количества фоточувствительными элементов (ФЧЭ), потерянных в "слепых зонах", повышает эффективность преобразования изображений, увеличивает объем данных для последующей обработки и улучшает качество визуализируемых изображений.
{"title":"Фундаментальные основы технологии мозаичных фотоприемников сверхвысокой\u0000размерности","authors":"Андрей Игоревич Козлов, А.Р. Новоселов","doi":"10.34077/rcsp2021-149","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-149","url":null,"abstract":"Мозаичные фотоприемники (МФП) сверхвысокой размерности создают посредством технологии\u0000прецизионной микросборки субмодулей меньшего, приемлемого для изготовления формата [1-11].\u0000Мозаичная технология является прорывным решением проблемы кардинального увеличения форматов\u0000фотоприемников. Применение МФП ограничивается размерами \"слепых зон\" [1-8]. Уменьшение\u0000количества фоточувствительными элементов (ФЧЭ), потерянных в \"слепых зонах\", повышает\u0000эффективность преобразования изображений, увеличивает объем данных для последующей обработки\u0000и улучшает качество визуализируемых изображений.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"1 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"130049963","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Возможность создания в одном технологическом процессе гетероэпитаксиальных структур (ГЭС) для излучающих, передающих, модулирующих и принимающих элементов, делает InP ключевым материалом для интегральных систем радиофотоники [1, 2]. Предэпитаксиальная термическая очистка подложек InP в сверхвысоком вакууме ростовой камеры в потоке мышьяка, позволяет получить резкую гетерограницу слой/подложка и избежать неконтролируемого встраивания фосфора в слои InAlAs/InGaAs, согласованные по параметру кристаллической решетки с подложкой [3]. Однако, в процессе отжига на поверхности формируются InAs островки, которые образуют дефекты на гетерогранице. Методом дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО) in situ изучен процесс удаления оксида с поверхности epi-ready InP(001) подложки в потоке мышьяка в сверхвысоком вакууме.
{"title":"Удаление оксида с поверхности InP(001) в потоке мышьяка","authors":"Д. В. Дмитриев, Д.А. Колосовский, А.И. Торопов","doi":"10.34077/rcsp2021-94","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-94","url":null,"abstract":"Возможность создания в одном технологическом процессе гетероэпитаксиальных структур (ГЭС)\u0000для излучающих, передающих, модулирующих и принимающих элементов, делает InP ключевым\u0000материалом для интегральных систем радиофотоники [1, 2]. Предэпитаксиальная термическая очистка\u0000подложек InP в сверхвысоком вакууме ростовой камеры в потоке мышьяка, позволяет получить резкую\u0000гетерограницу слой/подложка и избежать неконтролируемого встраивания фосфора в слои\u0000InAlAs/InGaAs, согласованные по параметру кристаллической решетки с подложкой [3]. Однако, в\u0000процессе отжига на поверхности формируются InAs островки, которые образуют дефекты на\u0000гетерогранице. Методом дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО) in situ изучен процесс\u0000удаления оксида с поверхности epi-ready InP(001) подложки в потоке мышьяка в сверхвысоком\u0000вакууме.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"1 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"130438502","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Задача регистрации малоразмерных объектов часто решается с помощью применения многорядных ФПУ с режимом временной задержки и накопления (ВЗН), к которым предъявляются высокие требования по характеристикам и функциональным возможностям. В первую очередь эти требования распространяются на предварительную обработку и оцифровку сигнала, выполняемую в БИС считывания. Представлен результат разработки большой интегральной схемы (БИС) считывания для усиления и обработки сигнала фотоприёмного устройства (ФПУ) коротковолнового ИК-диапазона сканирующего типа формата 1024х10 с цифровым выходом. В состав фоточувствительного модуля входит матрица фоточувствительных элементов из CdHgTe, состыкованная с кремниевой БИС, имеющей следующую структуру: четыре субматрицы 256х10, сдвинутые на 15 мкм поперек направления сканирования, входные ячейки размером 60х45 мкм, далее сигнал коммутируется в блок ВЗН суммирования, после которого следует блок 1024 каналов ΔΣ-АЦП с разрешением 14 бит. Реализован новый способ расширения динамического диапазона с использованием схемы динамического антиблюминга, а также способ снижения шума с помощью фильтра на переключаемых конденсаторах.
{"title":"БИС считывания с инкрементальным ΔΣ-АЦП в столбце для цифровой МФПУ\u0000сканирующего типа с режимом ВЗН","authors":"Юрий Алексеевич Якимов, И.С. Мощев, М.Л. Храпунов","doi":"10.34077/rcsp2021-146","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-146","url":null,"abstract":"Задача регистрации малоразмерных объектов часто решается с помощью применения многорядных\u0000ФПУ с режимом временной задержки и накопления (ВЗН), к которым предъявляются высокие\u0000требования по характеристикам и функциональным возможностям. В первую очередь эти требования\u0000распространяются на предварительную обработку и оцифровку сигнала, выполняемую в БИС\u0000считывания.\u0000Представлен результат разработки большой интегральной схемы (БИС) считывания для усиления и\u0000обработки сигнала фотоприёмного устройства (ФПУ) коротковолнового ИК-диапазона сканирующего\u0000типа формата 1024х10 с цифровым выходом. В состав фоточувствительного модуля входит матрица\u0000фоточувствительных элементов из CdHgTe, состыкованная с кремниевой БИС, имеющей следующую\u0000структуру: четыре субматрицы 256х10, сдвинутые на 15 мкм поперек направления сканирования,\u0000входные ячейки размером 60х45 мкм, далее сигнал коммутируется в блок ВЗН суммирования, после\u0000которого следует блок 1024 каналов ΔΣ-АЦП с разрешением 14 бит. Реализован новый способ\u0000расширения динамического диапазона с использованием схемы динамического антиблюминга, а также\u0000способ снижения шума с помощью фильтра на переключаемых конденсаторах.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"38 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"134295093","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
京公网安备 11010802042870号
京ICP备2023020795号-1
扫码关注我们
求助内容：
应助结果提醒方式：