Барьеры для инжекции носителей в ВЧ-магнетронно напыленные пленки In2O3:Er на кремнии

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI:10.34077/rcsp2021-61

К. В. Феклистов, А. Г. Лемзяков, А. А. Шкляев

{"title":"Барьеры для инжекции носителей в ВЧ-магнетронно напыленные пленки In2O3:Er на\nкремнии","authors":"К. В. Феклистов, А. Г. Лемзяков, А. А. Шкляев","doi":"10.34077/rcsp2021-61","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Работа в перспективе направлена на получение электролюминесцентного материала в прозрачном\nдля оптоволоконных линий спектральном диапазоне 1.5 мкм по технологии, совместимой с\nкремниевой. Это откроет возможность гибридизации оптических систем передачи данных с\nэлектронными системами обработки информации на уровне процессоров и позволит развить\nэлементную базу оптических коммуникационных систем. Здесь предлагается рассмотреть\nальтернативный общепринятому A3B5 класс материалов: легированные редкоземельными элементами\nоксиды. Эта работа посвящена исследованию структуры и нахождению барьеров для инжекции тока в\nпленках n- и p-Si\\In2O3:Er\\In-контакт, а так же установлению электронной структуры гетероперехода.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"98 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-61","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Abstract

Работа в перспективе направлена на получение электролюминесцентного материала в прозрачном для оптоволоконных линий спектральном диапазоне 1.5 мкм по технологии, совместимой с кремниевой. Это откроет возможность гибридизации оптических систем передачи данных с электронными системами обработки информации на уровне процессоров и позволит развить элементную базу оптических коммуникационных систем. Здесь предлагается рассмотреть альтернативный общепринятому A3B5 класс материалов: легированные редкоземельными элементами оксиды. Эта работа посвящена исследованию структуры и нахождению барьеров для инжекции тока в пленках n- и p-Si\In2O3:Er\In-контакт, а так же установлению электронной структуры гетероперехода.

查看原文

微信好友朋友圈 QQ好友复制链接

本刊更多论文

磁控管喷积层In2O3中的载体注入屏障

这项工作的目标是在光纤线路1.5 mkm的透明透明中获得电发光材料，这是一项兼容的技术。这将为光学系统提供机会，使selectron信息处理系统在处理器水平上混合，并允许发展光学通信系统的元素基础。建议审查A3B5的替代材料:稀土元素合金。这项工作致力于研究n- Si / In2O3注入电流的结构和障碍，以及建立异质跃迁的电子结构。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文去求助

来源期刊

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ

自引率

0.00%

发文量