МЛЭ твёрдых растворов GaPxAs1-x на вицинальных подложках: влияние отклонения на состав пленок

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI:10.34077/rcsp2021-38

Евгений Александрович Емельянов, М. О. Петрушков, Иван Дмитриевич Лошкарев

{"title":"МЛЭ твёрдых растворов GaPxAs1-x на вицинальных подложках: влияние отклонения\nна состав пленок","authors":"Евгений Александрович Емельянов, М. О. Петрушков, Иван Дмитриевич Лошкарев","doi":"10.34077/rcsp2021-38","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"В данной работе было исследовано влияние отклонения подложки GaAs от сингулярной грани (100)\nв направлении [110] на 0°, 1°, 2°, 3°, 5° и 7° на состав твёрдых растворов GaPxAs1-x. Слой твёрдого\nраствора выращивался одновременно на положках всех ориентаций. Использовались потоки молекул\nAs2 и P2, скорость роста составляла 1 МС/с, Ts = 500°С, толщина плёнки - 1 мкм. Выращенные образцы\nбыли исследованы методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"28 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-38","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Abstract

В данной работе было исследовано влияние отклонения подложки GaAs от сингулярной грани (100) в направлении [110] на 0°, 1°, 2°, 3°, 5° и 7° на состав твёрдых растворов GaPxAs1-x. Слой твёрдого раствора выращивался одновременно на положках всех ориентаций. Использовались потоки молекул As2 и P2, скорость роста составляла 1 МС/с, Ts = 500°С, толщина плёнки - 1 мкм. Выращенные образцы были исследованы методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии.

查看原文

微信好友朋友圈 QQ好友复制链接

本刊更多论文

胶片成分偏差影响

在这种工作是探索影响支架砷化镓偏离奇点方向边缘(100)[110]0°,1°,2°、3°、5°和7°并入固体溶解GaPxAs1 x。一层固态溶液同时在所有方向的架子上生长。用P2молекулAs2流动和增长速度为1 ms / s, Ts =薄膜厚度500°c - 1μm。生长的标本被高分辨率x射线衍射测定法研究。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文去求助

来源期刊

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ

自引率

0.00%

发文量