{"title":"Исследование однофотонной излучающей системы на основе NV-центров в\nнаноалмазах, интегрированных с ННК GaP","authors":"А. С. Голтаев, А. М. Можаров, В. В. Ярошенко","doi":"10.34077/rcsp2021-57","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"В данной работе разработан\nтехнологический процесс интеграции\nисточников однофотонного излучения в\nрезонансную систему ННК из фосфида галлия.\nПроанализированы оптические свойства\nизготовленной структуры и получены спектры\nФЛ и КРС. Зависимость скорости спонтанного\nизлучения исследовалась для системы НА,\nсовмещенных с одиночными ННК GaP, а также для НА, осажденных на стеклянную подложку, в\nкачестве референсного образца. Данные показали увеличение скорости спонтанного излучения при\nинтегрировании наноалмазов с GaP ННК.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"357 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-57","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
Abstract
В данной работе разработан
технологический процесс интеграции
источников однофотонного излучения в
резонансную систему ННК из фосфида галлия.
Проанализированы оптические свойства
изготовленной структуры и получены спектры
ФЛ и КРС. Зависимость скорости спонтанного
излучения исследовалась для системы НА,
совмещенных с одиночными ННК GaP, а также для НА, осажденных на стеклянную подложку, в
качестве референсного образца. Данные показали увеличение скорости спонтанного излучения при
интегрировании наноалмазов с GaP ННК.