Пассивация собственным окислом поверхности CdHgTe, подвергнутой жидкостному травлению

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI:10.34077/rcsp2021-127

И. А. Краснова, Д В Горшков, Г. И. Сидоров

{"title":"Пассивация собственным окислом поверхности CdHgTe, подвергнутой жидкостному\nтравлению","authors":"И. А. Краснова, Д В Горшков, Г. И. Сидоров","doi":"10.34077/rcsp2021-127","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"При изготовлении фотоприемных матриц для улучшения их частотно-контрастной характеристики\n(ЧКХ) необходимо уменьшить фотоэлектрическую связь между фотоприемными элементами.\nПоскольку влияние диффузии носителей заряда в CdHgTe (КРТ) увеличивается с уменьшением\nрасстояния между фотодиодами, улучшение ЧКХ достигается за счет физического разделения при\nпомощи травления меза-структуры. В настоящее время меза-структуры создаются с помощью\nжидкостного травления водным раствором Br+HBr. При таком травлении на поверхности КРТ\nобразуется избыточный теллур, а также появляются другие дефекты, которые влияют на\nэлектрофизические свойства фотодетекторов. Для уменьшения влияния этих дефектов перспективным\nнаправлением является проведение дополнительных обработок КРТ после травления перед\nнанесением диэлектрика. Таким образом, целью данной работы является изучение влияния\nсобственного окисла КРТ после жидкостного травления Br+HBr на электрофизические свойства\nграницы раздела КРТ – Al2O3.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"29 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-127","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Abstract

При изготовлении фотоприемных матриц для улучшения их частотно-контрастной характеристики (ЧКХ) необходимо уменьшить фотоэлектрическую связь между фотоприемными элементами. Поскольку влияние диффузии носителей заряда в CdHgTe (КРТ) увеличивается с уменьшением расстояния между фотодиодами, улучшение ЧКХ достигается за счет физического разделения при помощи травления меза-структуры. В настоящее время меза-структуры создаются с помощью жидкостного травления водным раствором Br+HBr. При таком травлении на поверхности КРТ образуется избыточный теллур, а также появляются другие дефекты, которые влияют на электрофизические свойства фотодетекторов. Для уменьшения влияния этих дефектов перспективным направлением является проведение дополнительных обработок КРТ после травления перед нанесением диэлектрика. Таким образом, целью данной работы является изучение влияния собственного окисла КРТ после жидкостного травления Br+HBr на электрофизические свойства границы раздела КРТ – Al2O3.

查看原文

微信好友朋友圈 QQ好友复制链接

本刊更多论文

受液体诱导的CdHgTe自身氧化表面被动

在制作光电接收基质以改善其频率对比特性(hkh)时，需要减少光电接收元件之间的通信。由于电荷载体在CdHgTe (cdgte)中的扩散影响随着光电二极管间距离的减少而增加，通过对中子结构的腐蚀来改善chh。目前，msa结构是由Br+HBr溶液的液态腐蚀产生的。在这种蚀刻过程中，过量的碲被暴露在表面，其他的缺陷也会影响光电探测器的物理特性。为了减少这些缺陷的影响，有可能在电介质腐蚀后进行更多的cdg处理。因此，这项工作的目的是在Br+HBr对crt - Al2O3分段边界的电物理性质后研究其自身氧化物的影响。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文去求助

来源期刊

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ

自引率

0.00%

发文量