Фотопроводимость в магнитном поле в гетеростурктурах кадмий-ртуть-теллур n-типа

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI:10.34077/rcsp2021-129

Д. Ю. Протасов, Виталий Александрович Кузнецов, В. Я. Костюченко

{"title":"Фотопроводимость в магнитном поле в гетеростурктурах кадмий-ртуть-теллур n-типа","authors":"Д. Ю. Протасов, Виталий Александрович Кузнецов, В. Я. Костюченко","doi":"10.34077/rcsp2021-129","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Кадмий-ртуть-теллур (КРТ) является основным материалом для создания матричных\nфотоприёмных устройств (МФПУ) ИК диапазона [1,2]. Теоретические расчеты показывают, что\nМФПУ в виде диодов с базой n-типа имеют лучше параметры, чем с базой p-типа. Параметры таких\nМФПУ во многом определяются рекомбинационно-диффузионными процессами, а именно\nзначениями равновесной концентрации и подвижности основных (электронов) и неосновных (дырок)\nносителей, их временем жизни в объёме материала, скоростями поверхностной рекомбинации на двух\nповерхностях плёнки [3].","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"88 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-129","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Abstract

Кадмий-ртуть-теллур (КРТ) является основным материалом для создания матричных фотоприёмных устройств (МФПУ) ИК диапазона [1,2]. Теоретические расчеты показывают, что МФПУ в виде диодов с базой n-типа имеют лучше параметры, чем с базой p-типа. Параметры таких МФПУ во многом определяются рекомбинационно-диффузионными процессами, а именно значениями равновесной концентрации и подвижности основных (электронов) и неосновных (дырок) носителей, их временем жизни в объёме материала, скоростями поверхностной рекомбинации на двух поверхностях плёнки [3].

查看原文