Супер-разрешение без микросканирования: восстановление субпиксельных изображений из фотосигналов окрестных диодов матрицы как некорректно поставленная задача

В.А. Стучинский, А. В. Вишняков
{"title":"Супер-разрешение без микросканирования: восстановление субпиксельных\nизображений из фотосигналов окрестных диодов матрицы как некорректно\nпоставленная задача","authors":"В.А. Стучинский, А. В. Вишняков","doi":"10.34077/rcsp2021-144","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"В настоящей работе изучался следующий алгоритм восстановления СИ в фотоприемных матрицах,\nбазирующийся на использовании в них фотоэлектрической связи между фотоэлементами. Полагаем,\nчто подлежащее регистрации изображение сосредоточено в области между четырьмя диодами\nматрицы. Мы разбиваем эту область на 4x4 квадратных площадок, - и, моделируя диффузию\nфотогенерированных носителей заряда (ФНЗ) в матрице методом Монте-Карло [1], вычисляем\nфотосигналы 4x4 окрестных диодов при однородном освещении светом каждой из площадок. При\nосвещении фрагмента матрицы, образованной 16-ю площадками, “фигурным” излучением (например,\nв виде однородно засвеченного круга, кольца, и т.п.), применяя тот же метод моделирования, мы\nаналогичным образом можем сосчитать фотосигналы рассматриваемых 16-ти фотодиодов. Теперь\nзадача состоит в том, чтобы приблизить использованное для засветки матрицы “фигурное”\nизображение картиной, образованной однородно (но с разной интенсивностью!) засвеченными\nплощадками.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"37 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-144","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0

Abstract

В настоящей работе изучался следующий алгоритм восстановления СИ в фотоприемных матрицах, базирующийся на использовании в них фотоэлектрической связи между фотоэлементами. Полагаем, что подлежащее регистрации изображение сосредоточено в области между четырьмя диодами матрицы. Мы разбиваем эту область на 4x4 квадратных площадок, - и, моделируя диффузию фотогенерированных носителей заряда (ФНЗ) в матрице методом Монте-Карло [1], вычисляем фотосигналы 4x4 окрестных диодов при однородном освещении светом каждой из площадок. При освещении фрагмента матрицы, образованной 16-ю площадками, “фигурным” излучением (например, в виде однородно засвеченного круга, кольца, и т.п.), применяя тот же метод моделирования, мы аналогичным образом можем сосчитать фотосигналы рассматриваемых 16-ти фотодиодов. Теперь задача состоит в том, чтобы приблизить использованное для засветки матрицы “фигурное” изображение картиной, образованной однородно (но с разной интенсивностью!) засвеченными площадками.
查看原文
分享 分享
微信好友 朋友圈 QQ好友 复制链接
本刊更多论文
没有微扫描的超级分辨率:从基质二极管的光信号中恢复亚像素图像是一个错误的任务
本文研究了在光电矩阵中恢复c的下一个算法,该算法基于光电元件之间的使用。我们相信注册的图像集中在四个二极管之间的区域。我们将这一区域划分为4x4平方米,并在矩阵中模拟蒙特卡洛(1)中扩散光电载体(fnz),计算单个光电信号4x4周围的二极管。通过使用同样的模拟方法,我们可以用同样的方法计算16个光电二极管的光电信号。现在的挑战是用单声道(但强度不同)模式来放大用于显示矩阵的图形图像。
本文章由计算机程序翻译,如有差异,请以英文原文为准。
求助全文
约1分钟内获得全文 去求助
来源期刊
自引率
0.00%
发文量
0
期刊最新文献
МЛЭ рост сложных фотоприёмных, лазерных и nBn структур на основе твердых растворов CdHgTe Квантовые сенсоры физических полей на ансамблях NV центров в алмазных наноструктурах Фотоприемные устройства на основе InGaAs О возможности регулирования фотоэлектрического отклика полупроводников специальным пространственным профилированием потока излучения Искусственные подложки GaAs/Si(001), выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии, для оптоэлектронных приложений
×
引用
GB/T 7714-2015
复制
MLA
复制
APA
复制
导出至
BibTeX EndNote RefMan NoteFirst NoteExpress
×
×
提示
您的信息不完整,为了账户安全,请先补充。
现在去补充
×
提示
您因"违规操作"
具体请查看互助需知
我知道了
×
提示
现在去查看 取消
×
提示
确定
0
微信
客服QQ
Book学术公众号 扫码关注我们
反馈
×
意见反馈
请填写您的意见或建议
请填写您的手机或邮箱
已复制链接
已复制链接
快去分享给好友吧!
我知道了
×
扫码分享
扫码分享
Book学术官方微信
Book学术文献互助
Book学术文献互助群
群 号:604180095
Book学术
文献互助 智能选刊 最新文献 互助须知 联系我们:info@booksci.cn
Book学术提供免费学术资源搜索服务,方便国内外学者检索中英文文献。致力于提供最便捷和优质的服务体验。
Copyright © 2023 Book学术 All rights reserved.
ghs 京公网安备 11010802042870号 京ICP备2023020795号-1