InSb/InAlSb гетероструктуры для ИК фотоприемников с повышенной рабочей температурой

Abstract

В данной работе были измерены темновые и фототоки, проведено изучение роста методом молекулярно-лучевой эпитаксии nBn-гетероструктур InSb/In1-xAlxSb на подложках InSb (001), где In1-xAlxSb является широкозонным барьером (B). Ввиду наличия рассогласования между постоянными решетки барьерного слоя и подложки InSb, необходимо определить оптимальную долю алюминия и толщину барьера, при которой слой InAlSb будет псевдоморфным, для этого была выращена серия слоев InAlSb с постоянной x=0.4, 0.3, 0.2 и переменной долей алюминия, в варизонных барьерах доля алюминия изменялась от 0.4 до 0.1 (I) и от 0.35 до 0.15 (II) в процессе роста структуры от поглощающего слоя к контактному. Контроль состояния поверхности в процессе роста проводился методом дифракции быстрых электронов. После роста был проведен анализ выращенных слоев методом рентгеновской дифракции с определением степени релаксации слоя InAlSb.