Исследование свойств пассивирующего покрытия Al2O3, выращенного при различных параметрах роста на CdHgTe

Abstract

Для применения тройного раствора CdHgTe в прикладных задачах необходимо подобрать для него хорошее пассивирующее покрытие. Пассивирующие покрытия характеризуется рядом параметров: плотностью поверхностных состояний, однородностью и величиной встроенного заряда в диэлектрической плёнке и др. В работах, исследовавших границу раздела гетеро-эпитаксиальных структур (ГЭС) CdHgTe выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксией (МЛЭ) и Al2O3, нанесенного методом плазменно-индуцированного атомно-слоевого осаждения (ПАСО) при температуре образца 120°С, отмечается, что данный диэлектрик обладает хорошими пассивирующими свойствами [1, 2]. Известно, что стехиометрия и количество примесей в Al2O3, выращенного методом ПАСО, достигает оптимума при температурах 200-300 °С [3]. С другой стороны, с поверхности CdHgTe, в вакууме, начинает испаряться ртуть уже при 80 °С [4]. В литературе не встречается работы, в которых проводились исследования по поиску оптимальных параметров роста Al2O3, выращенного методом ПАСО, на CdHgTe. Цель данной работы – исследование параметров пассивирующих слоев Al2O3, выращенного методом ПАСО на CdHgTe при различных температурах и обработках CdHgTe перед ростом диэлектрической плёнки.