Фотоэдс на поверхности сильнолегированного p-GaAs с адсорбированными слоями цезия и кислорода

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI:10.34077/rcsp2021-133

В. С. Хорошилов, Д.Е. Протопопов, Д. М. Казанцев

{"title":"Фотоэдс на поверхности сильнолегированного p-GaAs с адсорбированными слоями\nцезия и кислорода","authors":"В. С. Хорошилов, Д.Е. Протопопов, Д. М. Казанцев","doi":"10.34077/rcsp2021-133","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Уменьшение изгиба зон из-за поверхностной фотоэдс лежит в основе работы фотоприемников на\nбарьерах Шоттки и влияет на работу p\n+\n-GaAs(Cs,О)-фотокатодов с отрицательным электронным\nсродством (ОЭС). Ранее фотоэдс на поверхности p-GaAs(Cs,O) изучалась бесконтактным методом\nфотоотражения на UP+\n-структурах с тонким (≈ 100 нм) нелегированным слоем [1] и на образцах с\nумеренным уровнем легирования p  3×1017 см-3\n[2]. При больших концентрациях дырок, определение\nфотоэдс этим методом затруднено из-за малой величины сигнала фотоотражения.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"86 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-133","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Abstract

Уменьшение изгиба зон из-за поверхностной фотоэдс лежит в основе работы фотоприемников на барьерах Шоттки и влияет на работу p + -GaAs(Cs,О)-фотокатодов с отрицательным электронным сродством (ОЭС). Ранее фотоэдс на поверхности p-GaAs(Cs,O) изучалась бесконтактным методом фотоотражения на UP+ -структурах с тонким (≈ 100 нм) нелегированным слоем [1] и на образцах с умеренным уровнем легирования p  3×1017 см-3 [2]. При больших концентрациях дырок, определение фотоэдс этим методом затруднено из-за малой величины сигнала фотоотражения.

查看原文

微信好友朋友圈 QQ好友复制链接

本刊更多论文

强力p-GaAs表面光电电动势，吸附层和氧

表面光电电阻降低了该区域的弯曲，影响了p++ GaAs(Cs, o)负电子光电阴极的工作。伤口表面фотоэдсp -砷化镓(Cs, O)在研究非接触式методомфотоотраженUP +结构和薄层(100 nm)нелегирова[1]掺杂样品сумерен一级p3×1017 cm - 3[2]。在大洞的浓度下，由于反射信号的微量，识别光电edd的方法变得困难。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文去求助

来源期刊

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ

自引率

0.00%

发文量