БИС считывания с инкрементальным ΔΣ-АЦП в столбце для цифровой МФПУ сканирующего типа с режимом ВЗН

Юрий Алексеевич Якимов, И.С. Мощев, М.Л. Храпунов
{"title":"БИС считывания с инкрементальным ΔΣ-АЦП в столбце для цифровой МФПУ\nсканирующего типа с режимом ВЗН","authors":"Юрий Алексеевич Якимов, И.С. Мощев, М.Л. Храпунов","doi":"10.34077/rcsp2021-146","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Задача регистрации малоразмерных объектов часто решается с помощью применения многорядных\nФПУ с режимом временной задержки и накопления (ВЗН), к которым предъявляются высокие\nтребования по характеристикам и функциональным возможностям. В первую очередь эти требования\nраспространяются на предварительную обработку и оцифровку сигнала, выполняемую в БИС\nсчитывания.\nПредставлен результат разработки большой интегральной схемы (БИС) считывания для усиления и\nобработки сигнала фотоприёмного устройства (ФПУ) коротковолнового ИК-диапазона сканирующего\nтипа формата 1024х10 с цифровым выходом. В состав фоточувствительного модуля входит матрица\nфоточувствительных элементов из CdHgTe, состыкованная с кремниевой БИС, имеющей следующую\nструктуру: четыре субматрицы 256х10, сдвинутые на 15 мкм поперек направления сканирования,\nвходные ячейки размером 60х45 мкм, далее сигнал коммутируется в блок ВЗН суммирования, после\nкоторого следует блок 1024 каналов ΔΣ-АЦП с разрешением 14 бит. Реализован новый способ\nрасширения динамического диапазона с использованием схемы динамического антиблюминга, а также\nспособ снижения шума с помощью фильтра на переключаемых конденсаторах.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"38 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-146","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0

Abstract

Задача регистрации малоразмерных объектов часто решается с помощью применения многорядных ФПУ с режимом временной задержки и накопления (ВЗН), к которым предъявляются высокие требования по характеристикам и функциональным возможностям. В первую очередь эти требования распространяются на предварительную обработку и оцифровку сигнала, выполняемую в БИС считывания. Представлен результат разработки большой интегральной схемы (БИС) считывания для усиления и обработки сигнала фотоприёмного устройства (ФПУ) коротковолнового ИК-диапазона сканирующего типа формата 1024х10 с цифровым выходом. В состав фоточувствительного модуля входит матрица фоточувствительных элементов из CdHgTe, состыкованная с кремниевой БИС, имеющей следующую структуру: четыре субматрицы 256х10, сдвинутые на 15 мкм поперек направления сканирования, входные ячейки размером 60х45 мкм, далее сигнал коммутируется в блок ВЗН суммирования, после которого следует блок 1024 каналов ΔΣ-АЦП с разрешением 14 бит. Реализован новый способ расширения динамического диапазона с использованием схемы динамического антиблюминга, а также способ снижения шума с помощью фильтра на переключаемых конденсаторах.
查看原文
分享 分享
微信好友 朋友圈 QQ好友 复制链接
本刊更多论文
bis和增量腐蚀读出数字栏Σ- acpмфпусканирВЗН政权类型
小尺寸物体注册的任务通常是通过使用延迟和存储模式(hn)来解决的,这些模式的特性和功能都很高。这些需求主要适用于在比数中执行的信号的预处理和数字化。这是大型集成电路(bis)读出的结果,用于增强光电接收设备的信号处理。光敏模块包括матрицафоточувствительнCdHgTe中的元素硅之二следующуюструктур邦交国停靠:四субматриц256х10移动15µm交叉方向扫描,输入单元尺寸60х45µm,示意交换单元ВЗНпослекотор下总和1024频道腐蚀Σ经许可acp 14位。通过动态抗布鲁明电路实现了一种新的动态波段扩展,以及通过转换电容器过滤器降低噪音的方法。
本文章由计算机程序翻译,如有差异,请以英文原文为准。
求助全文
约1分钟内获得全文 去求助
来源期刊
自引率
0.00%
发文量
0
期刊最新文献
МЛЭ рост сложных фотоприёмных, лазерных и nBn структур на основе твердых растворов CdHgTe Квантовые сенсоры физических полей на ансамблях NV центров в алмазных наноструктурах Фотоприемные устройства на основе InGaAs О возможности регулирования фотоэлектрического отклика полупроводников специальным пространственным профилированием потока излучения Искусственные подложки GaAs/Si(001), выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии, для оптоэлектронных приложений
×
引用
GB/T 7714-2015
复制
MLA
复制
APA
复制
导出至
BibTeX EndNote RefMan NoteFirst NoteExpress
×
×
提示
您的信息不完整,为了账户安全,请先补充。
现在去补充
×
提示
您因"违规操作"
具体请查看互助需知
我知道了
×
提示
现在去查看 取消
×
提示
确定
0
微信
客服QQ
Book学术公众号 扫码关注我们
反馈
×
意见反馈
请填写您的意见或建议
请填写您的手机或邮箱
已复制链接
已复制链接
快去分享给好友吧!
我知道了
×
扫码分享
扫码分享
Book学术官方微信
Book学术文献互助
Book学术文献互助群
群 号:481959085
Book学术
文献互助 智能选刊 最新文献 互助须知 联系我们:info@booksci.cn
Book学术提供免费学术资源搜索服务,方便国内外学者检索中英文文献。致力于提供最便捷和优质的服务体验。
Copyright © 2023 Book学术 All rights reserved.
ghs 京公网安备 11010802042870号 京ICP备2023020795号-1