Особенности структур p-por-Si/p-c-Si и механизм токопереноса

Abstract

Как известно, если por-Si осаждается на подложку из кристаллического кремния p-типа, в por-Si образуются глубокие уровни и поверхностные состояния. Это приводит к сдвигу уровня Ферми (EF) в сторону зоны проводимости, за счет сдвига возникает потенциальный барьер между слоями por-Si и с-Si. Кроме того, вследствие увеличения концентрации глубоких уровней в por-Si уменьшается концентрация дырок и между слоями por-Si и с-Si образуется p-p+ переход. Из-за разной концентрации дырок с обеих сторон перехода возникает диффузионный ток. На основе диффузионной теории нами получено аналитическое выражение температурной зависимости диффузионного тока.