В статье рассмотрено проявление зонного строения электронного спектра неметаллических твёрдых тел в ряде процессов спиновой химии радикалов. Показано, что при определённом взаимном расположении границ зон и электронных уровнейатомов распад триплетного состояния может идти по электронному либо атомному каналу. Выявлено, что участие в этих процессах фотона может увеличивать вероятность таких эффектов, включая процессы переворота спина (flip-flop).
{"title":"Письма в редколлегию Энергетические зоны и эффекты спинового катализа","authors":"Б.Л. Оксенгендлер, Б.Р. Кутлимуротов, Ш.К. Кучканов, С.Е. Максимов, Н.Н. Никифорова","doi":"10.52304/.v25i3.457","DOIUrl":"https://doi.org/10.52304/.v25i3.457","url":null,"abstract":"В статье рассмотрено проявление зонного строения электронного спектра неметаллических твёрдых тел в ряде процессов спиновой химии радикалов. Показано, что при определённом взаимном расположении границ зон и электронных уровнейатомов распад триплетного состояния может идти по электронному либо атомному каналу. Выявлено, что участие в этих процессах фотона может увеличивать вероятность таких эффектов, включая процессы переворота спина (flip-flop).","PeriodicalId":498992,"journal":{"name":"Uzbek journal of physics","volume":"41 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2023-10-07","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"135254457","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Исследованы дневные тепловые потери и температуры теплоносителя на выходе плоских солнечных коллекторов (СК) с учетом переменности плотности падающего солнечного излучения на СК. Исследования проводили на основе разработанной одномерной трехслойной распределенной нестационарной тепловой модели плоской одноканальной CK с неселективным приемником, учитывающей изменение температур по длине СК. Показано, что основные теплопотери в СК в летнее время – это излучения с прозрачного ограждения (ПО) до 78% и с теплоизоляции днища 15%, конвективные теплопотери составляют около 7%, из них в ПО около 5.5% и 1.5% в изоляции. Эти показатели и температуры теплоносителя на выходе из CK существенно переменны в течение дня, что необходимо учитывать при определении кпд СК. Показано, что улучшение тепловых характеристик CK, в первую очередь, зависит от возможности уменьшения потерь излучением с ПО. Уменьшение тепловых потерь CK за счет увеличения толщины теплоизоляции ограничено из-за малых тепловых эффектов.
{"title":"Исследование нестационарных тепловых потерь в плоских солнечных коллекторах","authors":"Ш.И. Кличев, С.А. Бахрамов, И.Г. Кенжаев, Ж.Ж. Турсунбаев, Ш.А. Маразаков","doi":"10.52304/.v25i3.445","DOIUrl":"https://doi.org/10.52304/.v25i3.445","url":null,"abstract":"Исследованы дневные тепловые потери и температуры теплоносителя на выходе плоских солнечных коллекторов (СК) с учетом переменности плотности падающего солнечного излучения на СК. Исследования проводили на основе разработанной одномерной трехслойной распределенной нестационарной тепловой модели плоской одноканальной CK с неселективным приемником, учитывающей изменение температур по длине СК. Показано, что основные теплопотери в СК в летнее время – это излучения с прозрачного ограждения (ПО) до 78% и с теплоизоляции днища 15%, конвективные теплопотери составляют около 7%, из них в ПО около 5.5% и 1.5% в изоляции. Эти показатели и температуры теплоносителя на выходе из CK существенно переменны в течение дня, что необходимо учитывать при определении кпд СК. Показано, что улучшение тепловых характеристик CK, в первую очередь, зависит от возможности уменьшения потерь излучением с ПО. Уменьшение тепловых потерь CK за счет увеличения толщины теплоизоляции ограничено из-за малых тепловых эффектов.","PeriodicalId":498992,"journal":{"name":"Uzbek journal of physics","volume":"298 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2023-10-07","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"135254121","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Несмотря на обширные исследования в области синтеза нанокристаллов перилена, процессы пренуклеации до сих пор плохо изучены. С использованием реактивной молекулярной динамики мы исследовали эти процессы с помощью плоских молекул перилена. Результаты подтвердили соответствие теории созревания Оствальда, где молекулы перилена формируют кластеры в вакууме. Присутствие метоксигруппы влияло на скорость и структуру кластеризации. Интересно отметить, что предпочтительные начальные кластеры, определенные на основе оценки свободной энергии Гиббса, отличались от кристаллических единиц в кристаллах перилена в форме "елочек", указывая на неклассические механизмы формирования нанокристаллов. Это исследование расширяет наши знания о росте нанокристаллов на основе перилена.
{"title":"Образование пренуклеационных кластеров перилена в вакууме","authors":"Д.X. Хусанова, А.A. Джурахалов, C.З. Мирзаев, У.Б. Халилов","doi":"10.52304/.v25i3.453","DOIUrl":"https://doi.org/10.52304/.v25i3.453","url":null,"abstract":"Несмотря на обширные исследования в области синтеза нанокристаллов перилена, процессы пренуклеации до сих пор плохо изучены. С использованием реактивной молекулярной динамики мы исследовали эти процессы с помощью плоских молекул перилена. Результаты подтвердили соответствие теории созревания Оствальда, где молекулы перилена формируют кластеры в вакууме. Присутствие метоксигруппы влияло на скорость и структуру кластеризации. Интересно отметить, что предпочтительные начальные кластеры, определенные на основе оценки свободной энергии Гиббса, отличались от кристаллических единиц в кристаллах перилена в форме \"елочек\", указывая на неклассические механизмы формирования нанокристаллов. Это исследование расширяет наши знания о росте нанокристаллов на основе перилена.","PeriodicalId":498992,"journal":{"name":"Uzbek journal of physics","volume":"203 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2023-10-07","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"135254454","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
В статье исследовано изменение элементного и химического состава поверхности Сu при очистке прогревом в сочетании с ионной бомбардировкой. Для элементного анализа меди и химических состояний атомов примесных элементов, в первую очередь, кислорода и водорода, мы использовали методы ЭОС и ВИМС. По методу ОЭС проведены расчеты концентрации основных и примесных элементов. Также проведена очистка поверхности имплантацией ионов активных металлов с последующим отжигом при Т≃1000 К. Для этого Сu очищали сначала прогревом до Т≃1200 К, затем на очищенную поверхность направляли ионы Cs+ c Е0=1 кэВ при дозе насыщения d≃6´1016 см-2. Полученные результаты позволяют корректировать технологический процесс получения меди с улучшенной чистотой.
这篇文章研究了cu表面元素和化学成分的变化，以净化进展，加上离子爆炸。对于元素元素的铜和化学状态，特别是氧和氢，我们使用了eos和vims方法。oecd方法计算了基本元素和杂质的浓度。洗涤底漆及注入离子活性金属表面与后续退火t≃1000 kСu净化加热到1200吨≃先清洗表面,然后引导Cs +离子cЕ0 = 1凯夫剂量下饱和d≃6´1016 cm - 2。由此产生的结果允许通过改进纯度来调整铜的技术过程。
{"title":"Влияние ионной бомбардировки и последующего прогрева на состав поверхности монокристаллической меди","authors":"З.А. Исаханов, И.О. Косимов, А.С. Халматов, З.Э. Мухтаров, Б.Е. Умирзаков, А.А. Ахмедов","doi":"10.52304/.v25i3.449","DOIUrl":"https://doi.org/10.52304/.v25i3.449","url":null,"abstract":"В статье исследовано изменение элементного и химического состава поверхности Сu при очистке прогревом в сочетании с ионной бомбардировкой. Для элементного анализа меди и химических состояний атомов примесных элементов, в первую очередь, кислорода и водорода, мы использовали методы ЭОС и ВИМС. По методу ОЭС проведены расчеты концентрации основных и примесных элементов. Также проведена очистка поверхности имплантацией ионов активных металлов с последующим отжигом при Т≃1000 К. Для этого Сu очищали сначала прогревом до Т≃1200 К, затем на очищенную поверхность направляли ионы Cs+ c Е0=1 кэВ при дозе насыщения d≃6´1016 см-2. Полученные результаты позволяют корректировать технологический процесс получения меди с улучшенной чистотой.","PeriodicalId":498992,"journal":{"name":"Uzbek journal of physics","volume":"47 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2023-10-07","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"135254629","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
В данной работе изучается вопрос, возможно ли объяснить происхождение всех наблюдаемых видов балджей спиральных галактик на основе механизма гравитационных неустойчивостей вертикальных мод возмущений на фоне нестационарной модели самогравитирующего диска. Выполнен статистический анализ данных наблюдений балджей спиральных галактик, а также поиск соответствующих мод возмущений, которые могли бы объяснить происхождение всех их наблюдаемых видов.
{"title":"Можно ли идентифицировать наблюдаемые виды балджей спиральных галактик модами возмущений?","authors":"Ф.У. Ботиров","doi":"10.52304/.v25i3.450","DOIUrl":"https://doi.org/10.52304/.v25i3.450","url":null,"abstract":"В данной работе изучается вопрос, возможно ли объяснить происхождение всех наблюдаемых видов балджей спиральных галактик на основе механизма гравитационных неустойчивостей вертикальных мод возмущений на фоне нестационарной модели самогравитирующего диска. Выполнен статистический анализ данных наблюдений балджей спиральных галактик, а также поиск соответствующих мод возмущений, которые могли бы объяснить происхождение всех их наблюдаемых видов.","PeriodicalId":498992,"journal":{"name":"Uzbek journal of physics","volume":"82 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2023-10-07","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"135254631","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Исследованы закономерности влияния упругой деформации на энергии образования и активации движения ионов в суперионных кристаллах LaF3. Показано, что в диэлектрической фазе при изменении расстояния между анионно-катионными плоскостями в кристаллической решетке на 1-2% проводимость ионного кристалла в зоне деформации растяжения может возрастать на 2 порядка. В результате в таком кристалле суперионная фаза наступает при более низких температурах.
{"title":"Влияние упругой деформации на энергии образования и активации движения ионов в кристаллах LaF3","authors":"Ф.Р. Ахмеджанов, С.З. Мирзаев, Г.С. Нуждов, В.Н. Авдиевич, Т.Ш. Мустафаев","doi":"10.52304/.v25i3.455","DOIUrl":"https://doi.org/10.52304/.v25i3.455","url":null,"abstract":"Исследованы закономерности влияния упругой деформации на энергии образования и активации движения ионов в суперионных кристаллах LaF3. Показано, что в диэлектрической фазе при изменении расстояния между анионно-катионными плоскостями в кристаллической решетке на 1-2% проводимость ионного кристалла в зоне деформации растяжения может возрастать на 2 порядка. В результате в таком кристалле суперионная фаза наступает при более низких температурах.","PeriodicalId":498992,"journal":{"name":"Uzbek journal of physics","volume":"14 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2023-10-07","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"135254627","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
В настоящей работе теоретически исследованы спектры поглощения дефектов, характерных для гидрогенизированного аморфного кремния. Установлено, что основную роль в определении спектра дефектного поглощения играют парциальные спектры, определяемые оптическими переходами электронов между разрешенными зонами и дефектами. Показано, что при степенном распределении плотности электронных состоя-ний в разрешенных зонах, спектры оптических переходов между ними и дефектами не зависят от значения этой степени.
{"title":"Дефекты, характерные для гидрогенизированных аморф-ных полупроводников, и спектры дефектного поглощения","authors":"Б.Т. Абдулазизов, Р.Г. Икрамов, М.А. Нуриддинова, Б.К. Султанов, О.Т. Холмирзаев","doi":"10.52304/.v25i3.447","DOIUrl":"https://doi.org/10.52304/.v25i3.447","url":null,"abstract":"В настоящей работе теоретически исследованы спектры поглощения дефектов, характерных для гидрогенизированного аморфного кремния. Установлено, что основную роль в определении спектра дефектного поглощения играют парциальные спектры, определяемые оптическими переходами электронов между разрешенными зонами и дефектами. Показано, что при степенном распределении плотности электронных состоя-ний в разрешенных зонах, спектры оптических переходов между ними и дефектами не зависят от значения этой степени.","PeriodicalId":498992,"journal":{"name":"Uzbek journal of physics","volume":"52 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2023-10-07","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"135254630","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
В статье проведён расчёт углового распределения степени поляризации диффузно отраженного и прошедшего естественного солнечного излучения из слоев атмосферы при многократном рэлеевском рассеянии. Расчёты выполнены в рамках теории S,T-матриц Чандрасекара с применением метода факторизации. Описаны некоторые особенности, связанные с определением численных значений X,Y-функций методом последовательных приближений. Показано, что при m=m0, когда угол наблюдения равен углу освещения, в угловом распределении степени поляризации диффузно прошедшего излучения наблюдается особенность. Степень поляризации прошедшего излучения вокруг этой точки изменяется скачкообразно. Также исследованы изменения угловой ширины разрыва в зависимости от угла освещения и оптической толщины.
{"title":"Исследования углового распределения степени поляриза-ции диффузно отраженного и прошедшего естественного солнечного излучения через слои атмосферы","authors":"М.М. Собиров, Ж.Ю. Розиков, В.У. Рузибоев","doi":"10.52304/.v25i3.452","DOIUrl":"https://doi.org/10.52304/.v25i3.452","url":null,"abstract":"В статье проведён расчёт углового распределения степени поляризации диффузно отраженного и прошедшего естественного солнечного излучения из слоев атмосферы при многократном рэлеевском рассеянии. Расчёты выполнены в рамках теории S,T-матриц Чандрасекара с применением метода факторизации. Описаны некоторые особенности, связанные с определением численных значений X,Y-функций методом последовательных приближений. Показано, что при m=m0, когда угол наблюдения равен углу освещения, в угловом распределении степени поляризации диффузно прошедшего излучения наблюдается особенность. Степень поляризации прошедшего излучения вокруг этой точки изменяется скачкообразно. Также исследованы изменения угловой ширины разрыва в зависимости от угла освещения и оптической толщины.","PeriodicalId":498992,"journal":{"name":"Uzbek journal of physics","volume":"203 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2023-10-07","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"135254448","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Рассмотрена роль усилителя сигнала сенсорного датчика для электрической цепи электронного термометра. С помощью программы MULTISIM промоделирована работа рассматриваемого в статье усилителя, и исследованы его характеристики на экспериментально изготовленном образце. Экспериментальная проверка работы схемы показала наличие усиленного сигнала и квазилинейную зависимость его от температуры при выбранной конфигурации устройства, в частности, в диапазоне от 35°С до 42°С сигнал изменялся от 1.126 В до 1.144 В. Также обсуждена необходимость устранения недостатков схемы и влияние присутствия искажений и шумовых помех на получение сигнала требуемого качества.
{"title":"Экспериментальный макет усилителя сигнала в электрической цепи электронного термометра","authors":"А.А. Хакимов, А.З. Рахматов, С.Ю. Герасименко, Р.Г. Закиров, O.A. Aбдулхаев, Ш.М. Кулиев","doi":"10.52304/.v25i3.454","DOIUrl":"https://doi.org/10.52304/.v25i3.454","url":null,"abstract":"Рассмотрена роль усилителя сигнала сенсорного датчика для электрической цепи электронного термометра. С помощью программы MULTISIM промоделирована работа рассматриваемого в статье усилителя, и исследованы его характеристики на экспериментально изготовленном образце. Экспериментальная проверка работы схемы показала наличие усиленного сигнала и квазилинейную зависимость его от температуры при выбранной конфигурации устройства, в частности, в диапазоне от 35°С до 42°С сигнал изменялся от 1.126 В до 1.144 В. Также обсуждена необходимость устранения недостатков схемы и влияние присутствия искажений и шумовых помех на получение сигнала требуемого качества.","PeriodicalId":498992,"journal":{"name":"Uzbek journal of physics","volume":"4 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2023-10-07","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"135254446","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Как известно, если por-Si осаждается на подложку из кристаллического кремния p-типа, в por-Si образуются глубокие уровни и поверхностные состояния. Это приводит к сдвигу уровня Ферми (EF) в сторону зоны проводимости, за счет сдвига возникает потенциальный барьер между слоями por-Si и с-Si. Кроме того, вследствие увеличения концентрации глубоких уровней в por-Si уменьшается концентрация дырок и между слоями por-Si и с-Si образуется p-p+ переход. Из-за разной концентрации дырок с обеих сторон перехода возникает диффузионный ток. На основе диффузионной теории нами получено аналитическое выражение температурной зависимости диффузионного тока.
{"title":"Особенности структур p-por-Si/p-c-Si и механизм токопереноса","authors":"У.С. Бобохўжаев, М.А. Усманов","doi":"10.52304/.v25i3.448","DOIUrl":"https://doi.org/10.52304/.v25i3.448","url":null,"abstract":"Как известно, если por-Si осаждается на подложку из кристаллического кремния p-типа, в por-Si образуются глубокие уровни и поверхностные состояния. Это приводит к сдвигу уровня Ферми (EF) в сторону зоны проводимости, за счет сдвига возникает потенциальный барьер между слоями por-Si и с-Si. Кроме того, вследствие увеличения концентрации глубоких уровней в por-Si уменьшается концентрация дырок и между слоями por-Si и с-Si образуется p-p+ переход. Из-за разной концентрации дырок с обеих сторон перехода возникает диффузионный ток. На основе диффузионной теории нами получено аналитическое выражение температурной зависимости диффузионного тока.","PeriodicalId":498992,"journal":{"name":"Uzbek journal of physics","volume":"52 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2023-10-07","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"135254456","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
京公网安备 11010802042870号
京ICP备2023020795号-1
扫码关注我们
求助内容：
应助结果提醒方式：