Влияние ионной бомбардировки и последующего прогрева на состав поверхности монокристаллической меди

Abstract

В статье исследовано изменение элементного и химического состава поверхности Сu при очистке прогревом в сочетании с ионной бомбардировкой. Для элементного анализа меди и химических состояний атомов примесных элементов, в первую очередь, кислорода и водорода, мы использовали методы ЭОС и ВИМС. По методу ОЭС проведены расчеты концентрации основных и примесных элементов. Также проведена очистка поверхности имплантацией ионов активных металлов с последующим отжигом при Т≃1000 К. Для этого Сu очищали сначала прогревом до Т≃1200 К, затем на очищенную поверхность направляли ионы Cs+ c Е0=1 кэВ при дозе насыщения d≃6´1016 см-2. Полученные результаты позволяют корректировать технологический процесс получения меди с улучшенной чистотой.