Дефекты, характерные для гидрогенизированных аморф-ных полупроводников, и спектры дефектного поглощения

Б.Т. Абдулазизов, Р.Г. Икрамов, М.А. Нуриддинова, Б.К. Султанов, О.Т. Холмирзаев
{"title":"Дефекты, характерные для гидрогенизированных аморф-ных полупроводников, и спектры дефектного поглощения","authors":"Б.Т. Абдулазизов, Р.Г. Икрамов, М.А. Нуриддинова, Б.К. Султанов, О.Т. Холмирзаев","doi":"10.52304/.v25i3.447","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"В настоящей работе теоретически исследованы спектры поглощения дефектов, характерных для гидрогенизированного аморфного кремния. Установлено, что основную роль в определении спектра дефектного поглощения играют парциальные спектры, определяемые оптическими переходами электронов между разрешенными зонами и дефектами. Показано, что при степенном распределении плотности электронных состоя-ний в разрешенных зонах, спектры оптических переходов между ними и дефектами не зависят от значения этой степени.","PeriodicalId":498992,"journal":{"name":"Uzbek journal of physics","volume":"52 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2023-10-07","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Uzbek journal of physics","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.52304/.v25i3.447","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0

Abstract

В настоящей работе теоретически исследованы спектры поглощения дефектов, характерных для гидрогенизированного аморфного кремния. Установлено, что основную роль в определении спектра дефектного поглощения играют парциальные спектры, определяемые оптическими переходами электронов между разрешенными зонами и дефектами. Показано, что при степенном распределении плотности электронных состоя-ний в разрешенных зонах, спектры оптических переходов между ними и дефектами не зависят от значения этой степени.
查看原文
分享 分享
微信好友 朋友圈 QQ好友 复制链接
本刊更多论文
非晶化无定形半导体水生缺陷和缺陷吸收光谱
在本工作中,理论上研究的是水生无定形硅特征的缺陷吸收光谱。人们发现,识别缺陷吸收光谱的主要作用是由允许区域和缺陷之间的光跃迁决定的部分光谱。显示,在允许区域内电子同位素密度的幂分布下,光谱仪之间的光学跃迁与缺陷无关。
本文章由计算机程序翻译,如有差异,请以英文原文为准。
求助全文
约1分钟内获得全文 去求助
来源期刊
自引率
0.00%
发文量
0
期刊最新文献
Влияние условий получения на некоторые свойства оксида никеля Исследование нестационарных тепловых потерь в плоских солнечных коллекторах Экспериментальный макет усилителя сигнала в электрической цепи электронного термометра Исследования углового распределения степени поляриза-ции диффузно отраженного и прошедшего естественного солнечного излучения через слои атмосферы Исследование метода термального атомно-слоевого осаждения для создания функциональных покрытий TiO2 на макропористой кремниевой подложке
×
引用
GB/T 7714-2015
复制
MLA
复制
APA
复制
导出至
BibTeX EndNote RefMan NoteFirst NoteExpress
×
×
提示
您的信息不完整,为了账户安全,请先补充。
现在去补充
×
提示
您因"违规操作"
具体请查看互助需知
我知道了
×
提示
现在去查看 取消
×
提示
确定
0
微信
客服QQ
Book学术公众号 扫码关注我们
反馈
×
意见反馈
请填写您的意见或建议
请填写您的手机或邮箱
已复制链接
已复制链接
快去分享给好友吧!
我知道了
×
扫码分享
扫码分享
Book学术官方微信
Book学术文献互助
Book学术文献互助群
群 号:481959085
Book学术
文献互助 智能选刊 最新文献 互助须知 联系我们:info@booksci.cn
Book学术提供免费学术资源搜索服务,方便国内外学者检索中英文文献。致力于提供最便捷和优质的服务体验。
Copyright © 2023 Book学术 All rights reserved.
ghs 京公网安备 11010802042870号 京ICP备2023020795号-1