Павел Владимирович Середин, Али Обаид Радам, Д. Л. Голощапов, Александр Сергеевич Леньшин, Н.С. Буйлов, К.А. Барков, Д.Н. Нестеров, А. М. Мизеров, С.Н. Тимошнев, Елена Викторовна Никитина, И.Н. Арсентьев, Ш. Ш. Шарофидинов, Л.С. Вавилова, Сергей Арсеньевич Кукушкин, И. А. Касаткин
{"title":"Рост тонкопленочных AlGaN/GaN эпитаксиальных гетероструктур на гибридных подложках, содержащих слои карбида кремния и пористого кремния","authors":"Павел Владимирович Середин, Али Обаид Радам, Д. Л. Голощапов, Александр Сергеевич Леньшин, Н.С. Буйлов, К.А. Барков, Д.Н. Нестеров, А. М. Мизеров, С.Н. Тимошнев, Елена Викторовна Никитина, И.Н. Арсентьев, Ш. Ш. Шарофидинов, Л.С. Вавилова, Сергей Арсеньевич Кукушкин, И. А. Касаткин","doi":"10.21883/ftp.2022.06.52587.9816","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"We carried out a structural-spectroscopic study of AlGaN/GaN epitaxial layers grown by molecular-beam epitaxy with nitrogen plasma activation on a hybrid substrate containing layers of silicon carbide and porous silicon. Using X-ray diffractometry, Raman and photoluminescence spectroscopy, it is shown that thin films formed on a hybrid substrate have minimal residual stresses and intense photoluminescence.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"29 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Физика и техника полупроводников","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.06.52587.9816","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
Abstract
We carried out a structural-spectroscopic study of AlGaN/GaN epitaxial layers grown by molecular-beam epitaxy with nitrogen plasma activation on a hybrid substrate containing layers of silicon carbide and porous silicon. Using X-ray diffractometry, Raman and photoluminescence spectroscopy, it is shown that thin films formed on a hybrid substrate have minimal residual stresses and intense photoluminescence.
京公网安备 11010802042870号
京ICP备2023020795号-1
分享
求助内容：
应助结果提醒方式：
扫码关注我们
