Трансформация N-полярных инверсных доменов из буферных слоев AlN в процессе роста слоев AlGaN

Abstract

Методами атомно-силовой микроскопии и динамической вторично-ионной масс-спектрометрии были исследованы структурные свойства и структурное совершенство выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии из аммиака AlxGa1-xN/AlN/Al2O3 гетероструктур с высокой концентрацией кремния в слоях AlxGa1-xN : Si. Показано, что в случае, если буферные слои AlN металлической полярности содержат инверсионные домены азотной полярности, при последующем росте слоев AlxGa1-xN : Si инверсионные домены не прорастают до поверхности, а меняют азотную полярность на металлическую. На месте инверсионных доменов AlN растут уширяющиеся колонны AlxGa1-xN металлической полярности, которые срастаются с окружающей их матрицей металической полярности в однородную пленку. Толщина, на которой происходит полное срастание, увеличивается с увеличением содержания Al в слоях. Ключевые слова: A3-нитриды, инверсионные домены, структурные дефекты, аммиачная-МЛЭ.