Однофотонное излучение InGaAs-квантовой точки, выращенной на подложке (111)B GaAs

И.А. Деребезов, В.А. Гайслер, А.В. Гайслер, Д. В. Дмитриев, А.И. Торопов, S. Rodt, M. von Helversen, S. Reitzenstein
{"title":"Однофотонное излучение InGaAs-квантовой точки, выращенной на подложке (111)B GaAs","authors":"И.А. Деребезов, В.А. Гайслер, А.В. Гайслер, Д. В. Дмитриев, А.И. Торопов, S. Rodt, M. von Helversen, S. Reitzenstein","doi":"10.21883/ftp.2023.04.55897.12k","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"The results of a study of the optical characteristics of non-classical light sources based on single In(Ga)As quantum dot grown on a (111)B GaAs substrate are presented. The single-photon nature of the radiation is confirmed by measuring and analyzing the second-order correlation function g(2)(τ), g(2)(0)=0.033 ± 0.027, and the degree of indistinguishability of sequentially emitted single photons is (41 ± 10 )%.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"1 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2023-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Физика и техника полупроводников","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.21883/ftp.2023.04.55897.12k","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0

Abstract

The results of a study of the optical characteristics of non-classical light sources based on single In(Ga)As quantum dot grown on a (111)B GaAs substrate are presented. The single-photon nature of the radiation is confirmed by measuring and analyzing the second-order correlation function g(2)(τ), g(2)(0)=0.033 ± 0.027, and the degree of indistinguishability of sequentially emitted single photons is (41 ± 10 )%.
查看原文
分享 分享
微信好友 朋友圈 QQ好友 复制链接
本刊更多论文
单光子InGaAs-量子点辐射,生长在底座(111)B GaAs上
本文给出了在(111)B GaAs衬底上生长单个In(Ga)As量子点的非经典光源光学特性的研究结果。通过测量和分析二阶相关函数g(2)(τ)证实了该辐射的单光子性质,g(2)(0)=0.033±0.027,顺序发射的单光子不可分辨度为(41±10)%。
本文章由计算机程序翻译,如有差异,请以英文原文为准。
求助全文
约1分钟内获得全文 去求助
来源期刊
自引率
0.00%
发文量
0
期刊最新文献
Спектроскопия комбинационного рассеяния, инфракрасного поглощения и люминесценции нитрида алюминия, легированного бериллием Первопринципное исследование электронных, колебательных и упругих свойств кристаллов LiInTe-=SUB=-2-=/SUB=- и LiTlTe-=SUB=-2-=/SUB=- Моделирование зонной структуры сверхрешеток на основе "разбавленных" нитридов Молекулярно-лучевая эпитаксия твердого раствора GaP-=SUB=-x-=/SUB=-As-=SUB=-1-x-=/SUB=-: феноменологическое описание зависимости x от условий роста на подложке GaAs(001) Широкополосное излучение суперлюминесцентных диодов на основе многослойных структур с квантовыми яма-точками InGaAs/GaAs
×
引用
GB/T 7714-2015
复制
MLA
复制
APA
复制
导出至
BibTeX EndNote RefMan NoteFirst NoteExpress
×
×
提示
您的信息不完整,为了账户安全,请先补充。
现在去补充
×
提示
您因"违规操作"
具体请查看互助需知
我知道了
×
提示
现在去查看 取消
×
提示
确定
0
微信
客服QQ
Book学术公众号 扫码关注我们
反馈
×
意见反馈
请填写您的意见或建议
请填写您的手机或邮箱
已复制链接
已复制链接
快去分享给好友吧!
我知道了
×
扫码分享
扫码分享
Book学术官方微信
Book学术文献互助
Book学术文献互助群
群 号:481959085
Book学术
文献互助 智能选刊 最新文献 互助须知 联系我们:info@booksci.cn
Book学术提供免费学术资源搜索服务,方便国内外学者检索中英文文献。致力于提供最便捷和优质的服务体验。
Copyright © 2023 Book学术 All rights reserved.
ghs 京公网安备 11010802042870号 京ICP备2023020795号-1