Выращивание, структура и температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов Cu-=SUB=-2-=/SUB=-ZnGeS-=SUB=-4-=/SUB=-

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2022-01-01 DOI:10.21883/ftp.2022.05.52353.9801

И. В. Боднарь, В.А. Ящук, В. Н. Павловский, Г. П. Яблонский

{"title":"Выращивание, структура и температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов Cu-=SUB=-2-=/SUB=-ZnGeS-=SUB=-4-=/SUB=-","authors":"И. В. Боднарь, В.А. Ящук, В. Н. Павловский, Г. П. Яблонский","doi":"10.21883/ftp.2022.05.52353.9801","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Методом химических газотранспортных реакций выращены монокристаллы соединения Cu2ZnGeS4. Определен их состав и кристаллическая структура. Показано, что выращенные монокристаллы кристаллизуются в тетрагональной структуре. По спектрам пропускания в области края собственного поглощения в интервале температур 10-320 K определена ширина запрещенной зоны указанных монокристаллов. Установлено, что ширина запрещенной зоны с понижением температуры возрастает. Ключевые слова: монокристаллы, кристаллическая структура, спектры пропускания, ширина запрещенной зоны.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"86 5 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2022-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Физика и техника полупроводников","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.21883/ftp.2022.05.52353.9801","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Abstract

Методом химических газотранспортных реакций выращены монокристаллы соединения Cu2ZnGeS4. Определен их состав и кристаллическая структура. Показано, что выращенные монокристаллы кристаллизуются в тетрагональной структуре. По спектрам пропускания в области края собственного поглощения в интервале температур 10-320 K определена ширина запрещенной зоны указанных монокристаллов. Установлено, что ширина запрещенной зоны с понижением температуры возрастает. Ключевые слова: монокристаллы, кристаллическая структура, спектры пропускания, ширина запрещенной зоны.

查看原文