Структура и оптические свойства композитного метаматериала AsSb-Al-=SUB=-0.6-=/SUB=-Ga-=SUB=-0.4-=/SUB=-As-=SUB=-0.97-=/SUB=-Sb-=SUB=-0.03-=/SUB=-

Физика и техника полупроводников Pub Date : 2023-01-01 DOI:10.21883/ftp.2023.01.54933.4545

Л.А. Снигирев, В.И. Ушанов, А. А. Иванов, Н.А. Берт, Д. А. Кириленко, М. А. Яговкина, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б.Р. Семягин, И. А. Касаткин, В.В. Чалдышев

{"title":"Структура и оптические свойства композитного метаматериала AsSb-Al-=SUB=-0.6-=/SUB=-Ga-=SUB=-0.4-=/SUB=-As-=SUB=-0.97-=/SUB=-Sb-=SUB=-0.03-=/SUB=-","authors":"Л.А. Снигирев, В.И. Ушанов, А. А. Иванов, Н.А. Берт, Д. А. Кириленко, М. А. Яговкина, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б.Р. Семягин, И. А. Касаткин, В.В. Чалдышев","doi":"10.21883/ftp.2023.01.54933.4545","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре с использованием прерываний роста успешно выращены эпитаксиальные слои AlxGa1-xAs1-ySby с содержанием алюминия x~60% и содержанием сурьмы y~3%. Путем последующего отжига в полупроводниковой матрице сформирована развитая система нановключений AsSb. Увеличенное окно прозрачности полученного метаматериала позволило надежно документировать широкую полосу поглощения света вблизи края межзонного поглощения полупроводниковой матрицы AlxGa1-xAs1-ySby. Параметры наблюдаемой полосы экстинкции позволяют связать такое поглощение света с плазмонным резонансом в системе нановключений AsSb. Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, рентгенодифракционный анализ, просвечивающая электронная микроскопия, оптические свойства, плазмонный резонанс.","PeriodicalId":24054,"journal":{"name":"Физика и техника полупроводников","volume":"1 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2023-01-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Физика и техника полупроводников","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.21883/ftp.2023.01.54933.4545","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Abstract

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре с использованием прерываний роста успешно выращены эпитаксиальные слои AlxGa1-xAs1-ySby с содержанием алюминия x~60% и содержанием сурьмы y~3%. Путем последующего отжига в полупроводниковой матрице сформирована развитая система нановключений AsSb. Увеличенное окно прозрачности полученного метаматериала позволило надежно документировать широкую полосу поглощения света вблизи края межзонного поглощения полупроводниковой матрицы AlxGa1-xAs1-ySby. Параметры наблюдаемой полосы экстинкции позволяют связать такое поглощение света с плазмонным резонансом в системе нановключений AsSb. Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, рентгенодифракционный анализ, просвечивающая электронная микроскопия, оптические свойства, плазмонный резонанс.

查看原文

微信好友朋友圈 QQ好友复制链接

本刊更多论文

СтруктураиоптическиесвойствакомпозитногометаматериалаAsSb-Al - =子= -0.6 = / SUB = ga - -0.4 =子= - = / SUB =——=子= -0.97,= / SUB =某人- -0.03 =子= - = / SUB =

AlxGa1-xAs1-ySby是一种利用低温度的分子束外延的方法，它成功地培育了外延层AlxGa1-xAs1-ySby，铝含量为60%，锑含量为3%。随后，半导体基质中的退火形成了一个先进的AsSb配置系统。增强的元材料透明度窗口允许可靠地记录在AlxGa1-xAs1-ySby半导体半导体矩阵边缘附近的广泛吸收带。观察光带的参数允许将这种光吸收与AsSb配置中的等离子共振联系起来。关键字:分子束外延、x射线分析、电子显微镜、光学特性、等离子共振。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文去求助

来源期刊

Физика и техника полупроводников

自引率

0.00%

发文量