МЛЭ рост сложных фотоприёмных, лазерных и nBn структур на основе твердых растворов CdHgTe

Рассмотрены особенности выращивания сложных гетероструктур на основе твердого раствора CdHgTe и HgCdTe/HgTe квантовых ям (КЯ) на альтернативных подложках из (013) CdTe/ZnTe/GaAs диаметром до 3-х дюймов методом молекулярно-лучевой эпитаксии с in situ эллипсометрическим контролем состава и толщины на сверхвысоковакуумной установке “Обь-М” с модернизированной системой молекулярных источников. Для лазерных структур при последовательно росте выращиваются толстые волноводные слои CdHgTe с составами 0,7-0,95 молярных долей CdTe и толщиной 0.3-10 мкм, в объеме которых встроены квантовые ямы (КЯ) HgCdTe/HgTe/HgCdTe в количестве от 3 до 15 КЯ с такими параметрами: состав в КЯ и барьерах 30 нм составлял менее 0,05 и 0,7-0,95 и толщиной 2.5 - 7,8 нм и 30 нм соответственно. Такие структуры обеспечивают длину волны стимулированного излучения в диапазоне от 3 до 31 мкм.