Замена туннельных переходов в структурах на основе InP на каналы проводимости.

В настоящее время, наиболее эффективные фотоэлементы изготавливаются на основе каскадных гетероструктур. В таких приборах фотоактивные p−n-переходы, работающие в разных спектральных диапазонах, соединяются последовательно туннельными переходами с предельно высокими уровнями легирования [1,2]. При достаточно высокой плотности излучения, генерируемый фототок может превысить пиковый ток туннельных переходов, что ведет к увеличению сопротивления всей структуры и падению эффективности работы прибора [3].