Использование микросферной фотолитографии для селективного синтеза полупроводниковых структур группы A3B5 на Si

В данной работе будет продемонстрирован метод создания подложек для селективной эпитаксии с использованием микросферной фотолитографии, позволяющей создавать гексагональные массивы наноструктур на больших площадях. Выбирая диаметр микросферических частиц и задавая дозу экспонирования на этапе фотолитографии по микросферам, появляется возможность контролируемого варьирования диаметра и периода отверстий в маске. Подобные маски могут быть использованы при синтезе различных эпитаксиальных наноструктур, таких как нитевидные нанокристаллы, наноколонки, нанодиски и др. При этом, такой подход к подготовке ростовых подложек позволяет не только обеспечить текстурирование пластин большой площади, но и существенно сократить время экспонирования резиста.